内容正文:
半导体非线性光学
半导体非线性光学
强激发情况下, 半导体中多粒子激发产生的重整化效应.
区域Ⅰ:低激发下,存在载流子(电子,空穴)、自由激子以及束缚激子.
区域Ⅱ:较强激发下, 存在自由激子之间散射、自由激子与载流子之间散射以及双激子.
区域Ⅲ:强激发下, 存在
激子产生的玻色爱因斯坦凝聚
②e-h等离子体.
●临界密度
●观察:间隙材料(寿命长)或激子半径大材料.
锗:寿命ms,白炽灯照射.
CuCl(d):泵浦
时间为ps
中间密度区域
双光子跃迁
●弱耦合:光子1+光子2→(双)激子,中间
经历一个虚激发态.
强耦合:类光子极化激元1+类光子极化激元2→类激子(极化激元).
●产生纵模激子、UPB激子极化激元以及双激子(后面详细说明).
●动量守恒
●选择定则与单激子不同.
19.2 弹性碰撞 非弹性碰撞
1. X-X碰撞:
在较强激发情况下, 且在激子寿命时间内,激子在样品中扩散,发生碰撞.
2.弹性碰撞:
动量守恒:
能量守恒:
碰撞结果使激子的位相驰豫时间
减小.
无电磁辐射
3.非弹性碰撞:
①跃迁:激子极化激元1被散射到更高的
激发态
激子极化激元2被散射到
类光子支
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