内容正文:
相对介电函数
其中相对介电函数
与频率
和
有关,
l为屏蔽长度.
若l小于某个值
电子与空穴之间的束
缚能不能产生束缚态激子,即激子电离.
激子玻尔半径与
满足
2. 屏蔽长度和莫脱密度
①高温(非简并EHP)
电子与空穴用经典波尔兹曼统计描述,
可得屏蔽长度
莫脱密度:激子向EHP跃迁临界密度,
在极限情况下产生非物理结果:
②低温(简并EHP)
2023/8/2
4
1、掌握一个规律:
分析观察到的实验事实和自然现象与现有理论的矛盾
--->做出假设,提出新模型和概念,解释事实和现象
--->推出新的理论
--->预测新的实验现象
---->实验验证......
五步循环发展。
2、注意微观与宏观的区别:
微观现象需由量子理论来描述,宏观现象是由经典理
论描述的,而经典理论只是量子理论的近似。
例题
解:
(1)
(2)
2. 放大电路如图所示。试求:(1)Q点;(2)
、
、
。
已知 =50。
end
4.3.2 小信号模型分析法
屏蔽长度
莫脱密度
③ZnO:根据以上公式可得理论值
而实验值为
理论值
少4个数量级.
Si: 根据以上公式可得理论值
与实验值可以相比.
20.2 能隙重整化 EHP相变
1.能隙重整化
①随着电子-空穴对密度
增加而单调减
小,原因在于
●交换效应:
假若电子和空穴在空间随机分布, 电子和空穴间引力和斥力完全抵消,因此,能隙
与
无关.
但是,根据泡利不相容原理,载流子在空间分布不是随机的,与自旋取向有关.若两电子自旋取向同向, 两电子彼此远离;若两电子自旋取向反向, 两电子彼此靠近.这种
分布导致电子间库仑排斥势能减小,电子系统总能量降低.以上分析对空穴也成立.
●关联效应:在空穴附近,电子出现的几率比空穴高,这样,电子-空穴系统能量进一步降低.
②
的重整化与温度几乎无关,特别是在
高密度情况.
Rs
放大电路
Ri
Vs
–
+
Vi
–
+
Cb2
4k
+12V
300k
–
+
RC
–
+
+VCC
–
+
Rb
RL
vo
vi
Rs
500
vs
50(F
Cb1
50(F
e
b
c
T
4k
+
+
Q
IBQ
VBEQ
vBE/V
t
iB/(A
t
vBE/V
iB/(A
Q
Q`
Q``
IBQ
VBEQ
vBE/V
t
iB/(A
t
vBE/V
iB/(A
Q
Q`
Q``
IBQ
VBEQ
vBE/V
t
iB/(A
t
vBE/V
iB/(A
20
40
60
$$