2022-2023学年高二物理竞赛课件：量子阱中

量子阱中 量子阱中尤为显著（库仑屏蔽效应弱）. 低温下 中产生兰移。 量子阱中EHP ●强激发下产生增益（存在FP模）。 ●相空间填充 随着电子-空穴对密度增加，自由电子和空穴填充导带和价带,而导带会降到激子能级之下, 于是低能激子就无法产生.这是激子在高激发情况下消失的第二种原 4.吸收 EHP产生增益。 吸收声子 ●化学势和能隙的移动 基本时间常数 (弱耦合情况) 时间内，可认为部分极化波与入射脉 冲仍然是相干的。 ③散射过程 ●激子受到杂质、缺陷、量子阱粗糙界面以及混晶中离子分布的起伏等因素散射.主要影响自由激子和扩展态激子，对局域激子的影响减弱. ●激子同声子的散射(夫勒利希耦合，形变 势以及压电耦合) . 该过程随着晶格温度的增加而增强. ●激子-激子，激子-电子弹性和非弹性散射. 主要影响自由激子和扩展态激子，对局域激子的影响减弱.随着泵浦强度增强而明显增强. ●电子与空穴复合. 2. 电子与空穴复合 ① 为处于激发态粒子的寿命. 直隙材料为ns;间隙材料为 甚至ms. ②激子数密度为 其中 等号对应相驰豫过程仅存在 复合过程，>号对应相驰豫过程中还存在 上述多种散射过程. 为纯相驰豫时间（不包括复合过程）. ③激子辐射复合： 发光效率 定义为发射光子数与激发电子 -空穴对数比值. 高质量量子阱 优质直隙体材料 间隙材料，含铁或铜离子材料，发光效率 相当低. ④激子非辐射复合： $$