2022-2023学年高二物理竞赛课件：直隙半导体中EHP

直隙半导体中EHP 直隙半导体中EHP 1. 发光谱 推动EHD朝着这些的方向传播。 B图中轮廓线的光强相等。 上图中对样品施加非均匀应力。由于 与应力有关，于是在样品内部存在 梯 度，使得某处 最小。激发所产生的激 子和小EHD在 梯度影响下，在 最小 处积累，形成一个宏观EHD，称为 滴。 ●EHP产生强受激辐射，增益可达 ●发光谱宽度随着泵浦强度增加而增加。 2.吸收谱 ●在 区域EHP产生受激辐射。 ●电子-空穴复合速率为 整理可得 要使r>0，必须满足 这意味着 因此,增益 在 下产生. ●自发辐射强度及增益 其中 而 假设跃迁几率与 无关， 包含跃迁几率和其它系数。 ●两点修正： ■终态衰减： 因载流子寿命减小导致谱线加宽. ■振子强度增强: 空穴的库仑作用较强. 处电子与 3.透射谱 ●泵浦光频带窄而强度高，探测光频带宽而强度低. 泵浦光 不存在时,能隙 宽度为2.58eV.泵浦光激发下,激子消失,能隙宽度为2.49eV,化学势为2.54 eV. 增加,“吸收边”变斜且红移(化学势↓). 比较 ●受激辐射产生。随着温度的升高，受激辐射减弱，这是由于粒子数反转更难以产生。 ●增益（ns激发） ■随着泵浦强度增加，增益增加且变宽（态密度 ■ 但是EHL没有形 成，原因在于载流子寿命太低（100ps-200ps）. ●FP模兰移，间隔变大，折射率减小。 不是常数），能隙、化学势减小. $$