内容正文:
半导体的激子能级
半导体的激子能级
①当
激子能级随着
略微上移,
其原因:
随着
增加
减小, 一方面激子能级下降;
另外, 由于库仑势屏蔽,激子的束缚能减小,使激子能级上升,略强.
②相空间填充
随着
增加,自由电子和空穴填充导带
和价带,而导带会降到激子能级之下, 于
是低能激子就无法产生.这是激子在高激
发情况下消
失的第二种原因.在量子阱中尤为显著.
3. 激子衰减
随着
增加,激子碰撞加剧,相驰豫时间
减小,激子的衰减增强(阴影部分).
4. 电子-空穴系统化学势
热平衡情况下,
非热平衡情况下,
●T=0,在有效质量近似下,
随着
增加,
,同时
,但是
的增加大于
减小,使得
增加.
●随着
继续增加,
的增加不大于
减小,所以
减小.
●当
增加到
之后,
随着
增加而增加.
4. 电子-空穴系统EHP化学势μ
●多组分均相系统中,在等温等压并保持系统中其他物质的量都不变的条件下,系统的吉布斯自由能随某一组分的物质的量的变化率.
自由能
熵
内能
压强
其中N为e-h对数目.
5. 激子和自由载流子向EHL相分离
●在
情况下,随着
增加,
μ经历
最大值和最小值变化过程,这对应激子和自由载流子向液态电子-空穴体EHL相分离过程。
态激子和自由载流子包围,其密度不随温度变化).
密度增加,形成EHP液体,即EHL(被气
6.相图
●在某个临界温度
之下,随着电子-空穴
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