内容正文:
正向偏压PN结
●能带
掺杂程度很高,费米能级在能带中(简并).载流子和光子在任何方向都不受到限制,阈值电流密度太高,这就要求低温和光脉冲下工作,因此,应用价值有限.
▲正向偏压PN结
▲双异质结
●漏斗结构
阈值电流取决于反转体积。
漏斗结构有利于载流子注入,最小阈值电流约1mA.
电子和空穴被限制在
阱中,光子被
限制在
阱中。
缺陷:光场与电子波函数在有限空间叠加.
●材料:
应用于玻璃光纤中光数据转换.
量子阱中局域激子复合产生
兰绿光.光频率越高就越有利于增加半导体中光信息储存密度.
4.非本征半导体
①无序系统
▲尾参数
尾部局域态密度
浦下容易被占据,一旦占据态反转足够大, 产生激光.
低温下, 尾部中较低状态在光泵
▲
为间隙材料,
为直隙材
料,T=4k,
为间隙材料
导带的最小值在
点(低于
点).强泵浦下,电子占据
序结构存在,动量守恒不成立,因此产生跃迁几率很强的无声子伴随的受激辐射过程,波长为
点,由于无
图b显示出增益饱和
②BEC
ZnO中,束缚激子的双电子跃迁过程也可以产生受激辐射.
第22章 超快光谱测量
1.准静态过程:
●光脉冲宽度比被激发粒子的寿命长,即
●电场强度
化远小于粒子的衰减过程,即
以及极化强度
随时间的变
●本章之前所介绍的半导体光学性质都是
建立在准静态过程条件之下.
●产生瞬态相干作用.
●脉冲面积
若
则称为
脉冲;
若
则称为
脉冲。
●入射脉冲宽度
在相互作用时,
2.超快脉冲
电场强度,极化强度作无限持续振荡.
1.激子相驰豫
①产生
初始时刻,极化强度与电场强度同位相,即极化波与入射光波是相干的.首次散射过程破坏了这种相干关系,但是不改变激发态粒子的能量和波矢.
②相驰豫时间
极化强度
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