内容正文:
电子受激辐射
电子受激辐射
1.实验特征:
●发光强度随泵浦强度呈非线性增长,
即
●泵浦强度存在阈值
●辐射谱窄.
频率由腔长决定.
2.泵浦方式:
●激光模具有方向性.
●强激光:
取决于
材料和泵浦情况。
●电子束:
激发能量大于
●闪光灯.
●激光二极管中,在pn结上加正向偏压.
3.本征半导体
①受激辐射过程Ⅰ
●电子-激子非弹性散射
●伴随LO的激子复合.
●激子-激子散射、激子-载流子非弹性散射.
●双激子衰减
②粒子数方程
其中
能量为
的光子数密度.
包括共振腔内光子数的所有损
耗,例如反射或衍射等.
●第二项是所有对辐射
的光子过程求和.
表示能量守恒.
表示跃迁几率.在强耦合情况下,表示
类激子极化激元向类光子极化激元跃迁几
率。
为粒子数因子.
例
线
该式可以分解成两部分,其中与光子数密度
无关部分与自发辐射有关,而与光子
数密度
有关部分给出受激吸收与受激
辐射的净增益或吸收
假设不同激子态达到热平衡,那么,在低温下,即使两个激子碰撞也发生粒子数反转,
③增益
●激子-激子散射:
低温下,
随泵浦强度非线性增长,
直到增益大于损耗,即直到激光辐射开始,
高温下,
态被占据,谱线的某些区域
中再吸收可能大于增益,导致受激吸收.
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