2022-2023学年高二物理竞赛课件：半导体中的主要复合过程

半导体中的主要复合过程 在半导体中为主要复合过程,降低发光效率 激子带内驰豫,也称热化过程 ●通常剩余能量 若大于 带内驰豫辐射光学声子, 相应时间为(sub-)ps.若仍存在能量,则进一步驰豫,辐射声学声子,该过程进行得更慢.能量越小,动量变化越大,带内驰豫时间越长. 激子经过约1ps发射LO驰豫到LPB上,也可进一步发射AP,但进行过程会越来越慢。 瓶颈处激子极化激元累积. ●经过几次散射过程后,电子-空穴对（激子）达到某种热（平衡）分布,可用温度 玻尔兹曼统计描述（但是对局域态激 子有时不成立）.若激子寿命足够长,并且 与声子的耦合也足够强，激子加热晶格, 可以达到 ●若产生激子的剩余能量 热化过程意味着激子的平均动能减小,并 趋于 相反,若激子生产于导带底， 热化过程意味着激子的平均动能增加,动 量空间的扩展. △尽管恢复的自由极化信号质量极好,然而恢复只可能在时间与 可比下才能实 现.对于更长时间,光子回声的强度按 衰减. 称为消相干或解相 时间. △光子回声的存在不能归功于第二个脉冲的π特征. 即第二个脉冲使R向 翻转. 第二个脉冲之后,布鲁赫矢 再次绕 轴3自由旋转. 通解为 初始条件 说明： 之后同相, 相干叠加形成宏观的极化强度, 由此引发光脉冲辐射,光子回声. △所有单个布鲁赫矢在2T时刻在第一脉冲 由此,任何持续时间的第二个脉冲都可以产生光子回声.然而,在 条件下光子回声强度最大. △实验上光子回声通常用于确定光解相速 然而半导体系统中,电子空穴对相 互作用导致相对原子系统明显偏离,实验分析需要SBEs的详细数值分析. 度 $$