内容正文:
电路的位相驰豫时间测量
γ为阻尼,可以从反射谱、透射谱、折射
率、介电函数的分析中导出.
电路的位相驰豫时间测量
1. 光子回声
22.2.1 光子回声技术
最低态激子分析可得,
相应的
●对低温下
高质量样品反射谱中
①入射脉冲
实验中第一个脉冲
为
脉冲,之后
时刻第二个脉冲
为
脉冲,与第一个脉
冲频率相同,传播方向不同。
②非均匀加宽样品
每个振子固有频率
和
都不相同.
③机制
●第一个
脉冲入射后,振子开始失相,
并且每个振子失相情况不同。
●经历
时间后,第二个
脉冲入射样品,
振子复相,即失相逆过程,结果是所有振
子由经历了
时间后位相相
同,发射脉冲。
(光子回声).
④出射光脉冲强度
分析光子回声强度,可以确定
2. 半导体中光子回声
①在低温和低密度条件下,半导体中大多数跃迁都是非均匀加宽的。
●对于自由电子和自由激子极化激元,
只要波矢不同,能量就不同。
●束缚激子受杂质周围环境影响,能量有所不同。
●局域态激子非均匀加宽更明显。
(在高温和高密度条件下,
均匀加宽的跃迁.)
更小,产生
②CdSe
温度增加,
子间散射加剧。
减小,这是由于激子与声
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