2022-2023学年高二物理竞赛课件：电路的BJT的主要参数

电路的BJT的主要参数 反向击穿电压  V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反 向击穿电压。  V(BR) EBO——集电极开路时发射结的反 向击穿电压。  V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO 极限参数 电路的BJT的主要参数 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 iC=f(vCE) iB=常量 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: BJT的特性曲线 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 IB=0 20μA 40μA 60μA 80μA 截止区 饱和区 放大区 100μA + _ b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE BJT的主要参数 (1)共发射极直流电流放大系数 =IC / IB  vCE=const 1. 电流放大系数 (2) 共发射极交流电流放大系数  =IC/IBvCE=const BJT的主要参数 1. 电流放大系数 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 2. 极间反向电流 ICEO (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 BJT的主要参数 即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。 ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。 (1) 集电极最大允许电流ICM (2) 集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCE 3. 极限参数 BJT的主要参数 ② 输入电阻 ③ 输出电阻 动态指标 共基极电路 3. 三种组态的比较 电压增益： 输入电阻： 输出电阻： 共射极电路 共集电极电路 组合放大电路 以共射—共基放大电路为例： 原理电路 直流通路 组合放大电路 以共射—共基放大电路为例： 原理电路 交流通路 例题 1. 放大电路如图所示。试求 。 已知=50。 解： 两者比较可看出增益明显提高 end /mA IC UCE /V 0 + b c e - μA IE=0 VCC ICBO + b c e - VCC ICEO mA RL Rs Ri � EMBED Equation.3 ��� Rc � EMBED Equation.3 ��� Rb  + + � EMBED Equation.3 ��� Ro � EMBED Equation.3 ��� � EMBED Equation.3 ��� b c e rbe  � EMBED Equation.3 ���  + Cb2 – + Rc – + +VCC – + Rb RL vo vi Rs vs Cb1 + e b c T + RL Rs Ri � EMBED Equation.3 ��� � EMBED Equation.3 ��� Rb  + + � EMBED Equation.3 ��� Ro � EMBED Equation.3 ��� � EMBED Equation.3 ��� b c e � EMBED Equation.3 ��� rbe  � EMBED Equation.3 ���  + Re Cb2 – + Re – + +VCC – + Rb RL