内容正文:
盒
用模拟法测绘静电场
实验目的
(1)掌握双层式静电场实验装置的使用方法。
(2)学会用模拟法描绘静电场等势线。
(3)根据等势线与电场线之间的关系描绘无限长
同轴电缆静电场和静电聚焦场。
实验仪器
GVZ-3型导电微晶双层静电场描绘仪(一套)。
静电场是由电荷分布决定的,确定静电场的分
布对研究带电粒子与带电体之间的相互作用是
非常重要的。
一般,知道了电荷的分布就可以确定静电场的
分布。
复杂的带电体和电极周围静电场分布,用理
论方法(解析法,数值计算法)难于分析。
对于静电场直接测量也比较困难。
实验原理
以相似理论为依据,构造一个类同于研究对
象的物理过程或现象的模型,通过对该模型
的测试实现对研究对象的研究和测量,这种
方法称为模拟法”。
被模拟对象与直接测量量之间应存在相似性。
两组一一对应的物理量,满足相同的数学形式
本实验用电流场模拟静电场
模拟的理论依据
对于静电场,电场强度E在无源区域内满足以下积分
关系
乐Eds=0月E·d1=0
对于稳恒电流场,电流密度J在无源区域内也满足类
似的积分关系
乐jdS=0
jdi=o
模拟条件
(1)稳恒电流场中的电极形状应与被模拟的静电
场中的带电体几何形状相同。
(2)稳恒电流场中的导电介质是不良导体,且电
导率分布均匀并满足0电极>)0电介质,才能保证电
流场中的电极(良导体)的表面也近似是一个等位
面。
1.无限长同轴电缆电位分布
西安电
西姿地子科效大学此版丝
西人电科B学此手
(a)
(b)
图3-20-2同轴电缆及其静电场分布
(a)同轴电缆;(b)同轴电缆静电场的横向剖面
由静电场中的高斯定理可知,距轴线距离为r处各点电场强度为
K
E=
距轴线的距离为r处的电位为
y,=V。-∫Edr=V。-Kln
a
圆环的电位
b
-Vb
Va
V=V-KIn
K
b
a
b
In
In
a
V.
=V
b
In
a
2.静电聚焦场
静电聚焦场是一种用
(A1
A
途广泛的电场,电子
显示系统中的聚焦部
Z
分都使用聚焦场。电
位分布复杂。
实验步骤
1.描绘无限长同心电缆中的电场电位分布
(1)在双层式静电场模拟装置的上层夹好坐标纸,连接
好电路,调节电源输出电压为10V,接通电源
(2)右手扶住探针支架的底座并轻轻移动,记录下电压
值为1.0V时探针的位置,并在坐标纸上标明电压值。
注意:为方便处理数据我们在记录时至少要记录下八个
等势点而且要均匀分布。
(3)依照第(2)步依次记录下电位为2.0V、3.0V、4.0V、
5.0V、6.0V、7.0V、8.0V、9.0V等势圆周上的点
(4)找出圆心,画出等势圆。根据电场线与等势线处处
正交的特点画出电场中的电场线(五条)。