2022-2023学年高二物理竞赛课件：N沟道耗尽型MOSFET

　N沟道耗尽型MOSFET 一、结构及工作原理 SiO2 SiO2中掺入大量正离子 导电沟道 vGS ＞0 ＝0 ＜0 　N沟道耗尽型MOSFET 1.结构特点： D、S间外加偏压 衬底 S G、S间偏压 VGG ＞0 ＝0 ＜0 VDD ＋D －S N沟道 正常放大时各极电压极性： V-I 特性曲线及特性方程(P206)  输出特性  转移特性 　P沟道MOSFET (P206 自学 ) 　沟道长度调制效应 (P207 自学、了解) 　MOSFET的主要参数 (P208 自学) 一、 直流参数 　　1.开启电压 VT 2.夹断电压 VP 3.饱和漏极电流 IDSS 4.直流输入电阻 RGS 5 二、 交流参数 　　1.输出电阻 rds 2.低频跨导 gm :反映vGS对iD的控制作用 单位是mS(毫西门子) 三、 极限参数 　　1.最大漏极电流 IDM 2.最大耗散功率 PDM 3.最大漏源电压 V(BR)DS 4.最大栅源电压 V(BR)GS （Junction type Field Effect Transistor----JFET） § 结型场效应管 ( P225 P230 自学 ) 要求： 了解JFET结构、工作原理； 掌握JFET特性、符号。 掌握JFET工作在放大区时外加 电压极性： 4. 熟悉P237 表. 1 复习与思考 P211 P233 作业： P249 、 、 一、 直流偏置及静态工作点计算 1. 直流偏置电路 2. 静态工作点计算： ( P211 P214 电路求解及例题自学、了解) 二、 图解分析 ( P215 自学、了解) 三、 小信号模型分析 　　MOSFET放大电路　P216  P221 　　　 JFET放大电路 P231  P232 1 . FET小信号模型（低频模型) 1. 应用小信号模型法分析FET放大电路 例1 (P218例. 5) 已知: 共源极放大电路，gm=1mS 试求： 电压增益、源电压增益、 输入电阻、输出电阻。 解：画小信号等效电路： 电压增益： 反相放大电路 $$