2022-2023学年高二物理竞赛课件：电路中用ROM实现64个字符显示设计

电路中用ROM实现64个字符显示设计 ROM矩阵 64X7X5 字符控制 特征地址 输出缓冲 显示屏 A0~A2 A3~A8 8位 64位 5位 A0~A2:3位地址码是字符控制译码器的地址码。每个字符是7行x5列，也可以说每个字符是7个字X5位。 A3~A8:6位地址是特征地址译码器的地址码。可寻址范围0~63。 电路中用ROM实现64个字符显示设计 图7-4-10 2716外引线排列图 ⌒ 铈/PGM A7 GND 13 12 14 11 15 10 16 9 17 8 18 7 19 6 20 5 21 4 22 3 23 2 24 1 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 VCC A8 A9 A10 OE 2716 VPP D7 D6 D5 D4 D3 7.4.5 EPROM集成片简介 编程高电压25V 片选/编程控制 　　2716～27512系列的EPROM集成片，除了存储容量和编程高电压不同外，其余都基本相同。 电源电压+5V 表 1-2 几种常用的BCD码 十进制数 8421码 5421码 2421码 余 3 码 BCD Gray码 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0000 0001 0010 0011 0100 0101 0110 0111 1000 1001 0000 0001 0010 0011 0100 1000 1001 1010 1011 1100 0000 0001 0010 0011 0100 1011 1100 1101 1110 1111 0011 0100 0101 0110 0111 1000 1001 1010 1011 1100 0000 0001 0011 0010 0110 0111 0101 0100 1100 1000 当J2=0(S1接地)后又恢复到开始的状态。Q1=1，FF2解除置0封锁，如果再按下S１(J2=1)就能产生第二个单脉冲， 整个波形如图5-27(b)所示。 单脉冲发生器常作为调测信号源，在数字设备中应用很广泛， 它也可以用其它触发器实现。 雪崩击穿(Avalanche Breakdown 强电场——电子空穴具有大动能——碰撞——产生电子空穴对 如此继续下去，同雪崩现象一样 ； 锗、硅晶体管的击穿绝大多数是雪崩击穿。 硅PN结，击穿电压大于6 V的是雪崩击穿； 常见：半导体的掺杂浓度低； 单击此处编辑母版文本样式 第二级 第三级 第四级 第五级 隧道击穿(Zener breakdown)（齐纳击穿或场致击穿） ——量子贯穿 势垒区水平距离d 变窄， 发生量子隧道效应； 硅PN结，击穿电压小于4 V 的是隧道击穿； 当PN结两边掺入高浓度的杂质时, 其耗尽层宽度很小, 即使外加反向电压不太高(一般为几伏), 在PN结内就可形成很强的电场(可达2×106 V/cm), 将共价键的价电子直接拉出来, 产生电子-空穴对, 使反向电流急剧增加, 出现击穿现象。 隧道贯穿 变窄 强电场 产生原因： 热电击穿——高热击穿 反向电流大——引起热损耗 ——结温上升 ——PN结烧毁 禁带宽度小的半导体材料所制成的PN 结（如锗PN结），其反向电流大，容易发生热击穿； PN结正常使用的温度要小于允许的最高结温: 硅管150∽200oC 锗管75∽100oC Q = I 2 R t （焦耳热） 数据输出 +25V 0 0 编程检验 高阻浮置 +25V 1 0 编程禁止 数据写入 +25V 1 编程 高阻浮置 +5V × 1 维持 数据输出 +5V 0 0 读出 输出D VPP OE CE/PGM 工作方式 表7-4-3 EPROM 2716 工作方式 　　2716共有5种工作方式：读方式、维持方式、编程方式、编程禁止方式和编程检验方式。 EPROM举例——2764 本章小节 2．RAM是一种时序逻辑电路，具有记忆功能。其存储的数据随电源断电而消失，因此是一种易失性的读写存储器。它包含有SRAM和DRAM两种类型，前者用触发器记忆数据，后者靠MOS管栅极电容存储数据。因此，在不停电的情况下，SRAM的数据可以长久保持，而DRAM则必需定期刷新。 1．半导体存储器是现代数字系统特别是计算机系统中的重要组成部件，它可分为RAM和ROM两大类。 3．ROM是一种非易失性的存储器，它存储的是固定数据，一般只能被读出。根据数据写入方式的不同，ROM又可分成固定ROM和可编程ROM。后者又可细分为PROM、EPROM、E2