2022-2023学年高二物理竞赛课件：半导体中杂质和缺陷能级

半导体中杂质和缺陷能级 半导体中杂质和缺陷能级 锗、硅晶体中的杂质能级 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 缺陷、位错能级 2 除了杂质会... text has been truncated due to evaluation version limitation. 用拉普拉斯变换分析动态电路的基本步骤可归纳如下： (1) 写出描述动态电路的微分方程。 (2) 对电路的微分方程进行拉普拉斯变换，获得复频域中的代数方程。 (3) 解复频域中的代数方程，求出待求响应的象函数。 (4) 对上面求得的象函数进行拉普拉斯反变换，即得待求的时域响应。 位错的形成原因：应力作用使得晶格发生畸变。 位错类型：基本类型是刃型位错（棱位错）和螺型位错 2.3.2 位错 2.3 缺陷、位错能级 2.3 缺陷、位错能级 螺型位错 刃型位错（棱位错） 6 ε：形变势... text has been truncated due to evaluation version limitation. 棱位错对半导体性能的影响： 1）位错线上的悬挂键可以接受电子变为负电中心，表现为受主；悬挂键上的一个电子也可以被释放出来而变为正电中心，此时表现为施主，即不饱和的悬挂键具有双性行为，可以起受主作用，也可以起施主作用。 2）位错线处晶格变形，导致能带变形 2.3.2 位错 2.3 缺陷、位错能级 7 ε：形变势... text has been truncated due to evaluation version limitation. 3）位错线影响杂质分布均匀性 4）位错线若接受电子变成负电中心，对载流子有散射作用。 5）影响少子寿命，原因：一是能带变形，禁带宽度减小，有利于非平衡载流子复合；二是在禁带中产生深能级，促进载流子复合。 2.3.2 位错 2.3 缺陷、位错能级 8 ε：形变势... text has been truncated due to evaluation version limitation. 作 业 课后习题： 1，2，3，5 补充习题： 1、 掺杂技术在半导体中有哪些应用？并举例。 2、 位错对器件性能有哪些影响？对材料的物理性能有哪些影响？并举例说明。 $