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杂质半导体中的载流子统计
杂质半导体中的载流子统计
杂质能级上的电子和空穴
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为了进一步... text has been truncated due to evaluation version limitation.
n型半导体的载流子浓度
杂质半导体中的载流子统计
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同样我们以... text has been truncated due to evaluation version limitation.
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n型半导体的载流子浓度
低温弱电离区:施主杂质只有少数部分电离,本征激发完全可忽略
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随着温度的... text has been truncated due to evaluation version limitation.
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n型半导体的载流子浓度
低温弱电离区:
施主杂质只有少数部分电离,本征激发完全可忽略
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随着温度的... text has been truncated due to evaluation version limitation.
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n型半导体的载流子浓度
强电离区:施主杂质大部分电离,而本征激发仍可忽略
在该区间内,载流子浓度与温度无关。载流子浓度等于杂质浓度的这一温度范围称为饱和区。绝大多数半导体器件都工作在该温度区间。
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n型半导体的载流子浓度
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n型半导体的载流子浓度
过渡区:本征激发相对杂质电离所提供的电子不能再忽略
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n型半导体的载流子浓度
联立方程
解得
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杂质半导体中的载流子统计
n型半导体的载流子浓度
高温本征区:本征激发产生的载流子数远高于杂质电离产生的载流子数
注意:
1.一旦达到本征激发区,载流子浓度则会随着温度的变化迅速变化,此时对于绝大数器件来说,将不能正常工作。
2.达到本征激发区的温度与掺杂浓度紧密相关,杂质浓度越高,达到本征激发区的温度越高。
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n型半导体的载流子浓度
N型半导体费米能级与温度的关系
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n型半导体的载流子浓度
N型半导体载流子浓度与温度的关系
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