2022-2023学年高二物理竞赛课件：电路只读存储器(ROM)

电路只读存储器(ROM) （2）一次性可编程ROM（PROM）。出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要编程，但只能编程一次。 电路只读存储器(ROM) 一． ROM的分类 按照数据写入方式特点不同，ROM可分为以下几种： （1）固定ROM。厂家把数据写入存储器中，用户无法进行任何修改。 （3）光可擦除可编程ROM（EPROM）。采用浮栅技术生产的可编程存储器。其内容可通过紫外线照射而被擦除，可多次编程。 （5）快闪存储器（Flash Memory）。也是采用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入是分开进行的，数据写入方式与EPROM相同，一般一只芯片可以擦除/写入10000次以上。 （4）电可擦除可编程ROM（E2PROM）。也是采用浮栅技术生产的可编程ROM，但是构成其存储单元的是隧道MOS管，是用电擦除，并且擦除的速度要快的多（一般为毫秒数量级）。E2PROM的电擦除过程就是改写过程，它具有ROM的非易失性，又具备类似RAM的功能，可以随时改写（可重复擦写100万次以上）。 RAM的容量扩展 1．位扩展 用8片1024（1K）×1位RAM构成的1024×8位RAM系统。 RAM的工作时序（以写入过程为例） 写出操作过程如下： （1）欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端； （2）加入有效的选片信号CS； （3）将待写入的数据加到数据输入端。 （3）在 W/R 线上加低电平，进入写工作状态； （4）让选片信号CS无效，I/O端呈高阻态。 2．字扩展 用8片1K×8位RAM构成的8K×8位RAM。 AM的芯片简介(6116) 6116为2K×8位静态CMOSRAM 芯片引脚排列图： A0～A10是地址码输入端，D0～D7是 数据输出端， 是选片端， 是输出使能端， 是写入控制端。 二．ROM的结构及工作原理 1. ROM的内部结构 由地址译码器和存储矩阵组成。 2. ROM的基本 工作原理： 由地址译码器 和或门存储矩阵组成。 例：存储容量为4×4的ROM 二极管固定ROM举例 （1）电路组成： 由二极管与门和 或门构成。 与门阵列组成 译码器，或门 阵列构成存储 阵列。 （2）输出信号表达式 与门阵列输出表达式： （3）ROM存储内容的真值表 或门阵列输出表达式： 1.作函数运算表电路 【例7.2—1】试用ROM构成能实现函数y=x2的运算表电路，x的取值范围为0～15的正整数。 三． ROM的应用 【解】（1）分析要求、设定变量 自变量x的取值范围为0～15的正整数，对应的4位二进制正整数，用B=B3B2B1B0表示。根据y=x2的运算关系，可求出y的最大值是152＝225，可以用8位二进制数Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。 （2）列真值表—函数运算表 $