内容正文:
温度对晶体管特性的影响
温度对晶体管特性的影响
出特性曲线上移
输入特性曲线左移,输
不变时
,即
不变时
¯
®
BE
B
B
BE
u
i
i
u
℃
®
CBO
CEO
)
(
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(
I
I
T
®
b
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主要参数
直流参数: 、 、ICBO、 ICEO
C-E间击穿电压
最大集电极电流
最大集电极耗散功率,PCM=iCuCE
安全工作区
交流参数:β、α、fT(使β=1的信号频率)
极限参数:ICM、PCM、U(BR)CEO
‹#›
讨论一、双极型三极管BJT
由图示特性求出PCM、ICM、U(BR)CEO、β
2.7
ΔiC
uCE=1V时的iC就是ICM
U(BR)CEO
‹#›
讨论二:利用Multisim测试晶体管的输出特性
‹#›
利用Multisim分析图示电路在V2小于何值时晶体管截止、大于何值时晶体管饱和。
讨论三
以V2作为输入、以节点1作为输出, 采用直流扫描的方法可得!
约小于0.5V时截止
约大于1V时饱和
描述输出电压与输出电压之间函数关系的曲线, 称为电压传输特性
‹#›
测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。请标注管子
的引脚,并分别说明它们哪种材料、类型的三极管。
一、双极型三极管BJT
练习1
e
c
b
PNP
Ge
e
b
c
NPN
Si
e
b
c
NPN
Si
b
e
c
PNP
Si
PNP
e
b
c
Ge
e
b
c
NPN
Ge
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一、双极型三极管BJT
两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流和
电流放大倍数 ,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子。
练习2
‹#›
三极管工作状态的判断
[例3]:测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下,试判别管子工作在什么区域?
(1) VC =6V VB =0.7V VE =0V
(2) VC =6V VB =4V VE =3.6V
(3) VC =3.6V VB =4V VE =3.4V
解:
对NPN管而言,放大时VC > VB > VE
对PNP管而言,放大时VC < VB <VE
(1)放大区
(2)截止区
(3)饱和区
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场效应管有三个极:源极(s)、栅极(g)、漏极(d) 。
1.结构和符号
导电沟道
源极
栅极
漏极
符号
一、(JFET)的结构和工作原理
N沟道
符号
P沟道
源极
栅极
漏极
导电沟道
发射极(e)、基极(b)、集电极(c) 。
§1.4 场效应管
1.4.1 结型场效应管
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a、栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用
沟道最宽
沟道变窄
沟道消失称为夹断
UGS(off)
2.工作原理
(1)当uGS=0,uDS=0时,PN结很窄,导电沟道最宽。
(2)当|uGS |逐渐增大,PN结加反偏电压,PN结变宽,导电沟
道变窄,沟道电阻变大。
(3)当|uGS|=uGS(off)时,两个PN闭合,导电沟道消失(沟道被夹断),沟道电阻无穷大。
uGS可以控制导电沟道的宽度
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b、漏-源电压对漏极电流的影响
(1)当uGS=0,uDS>0时,使沟道中各点与栅极g间电压不再相 等,所以PN上宽下窄。
PN结上宽下窄
预夹断
(2)uGD=uGS-uDS,随着uDS增大,uGD变小耗尽层变宽,导电沟道变窄,iD随uDS线性增加。
(3)uGD=uGS-uDS,随着uDS继续增大,当uGD=uGS(off)时,为预夹断。
uGD>UGS(off)
uGD=UGS(off)
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