内容正文:
场效应管
结型场效应管
场效应管
各种场效应管特性比较
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结型场效应管
场效应管
5.各种场效应管特性比较
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结型场效应管
场效应管
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场效应管的主要参数
1. 直流参数
(1)开启电压UGS(th)
(2)夹断电压UGS(off)
(3)漏极饱和电流IDSS和IDO
(4)直流输入电阻RGS
场效应管
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2. 交流参数
(1)低频跨导gm
场效应管
场效应管的主要参数
反映了uGS 对 iD 的控制能力,单位 S(西门子)。一般为几毫西 (mS)。相当于转移特性上工作点的斜率。是表征FET放大能力的一个重要参数。
(2)输出电阻rds
说明uDS了对iD的影响。是输出特性某一点上切线斜率的倒数。
(3)极间电容
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3. 极限参数
(1)最大漏极电流IDM
场效应管
场效应管的主要参数
(2)最大耗散功率PDM
(3)最大漏源电压UBR(DS)
(4)最大栅源电压UBR(GS)
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场效应管的直流偏置电路与静态分析
场效应管放大电路
1.自给偏置电路
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(1)计算法。
① 列出输入回路电压方程
场效应管的直流偏置电路与静态分析
场效应管放大电路
1.自给偏置电路
②假设管子工作在恒流区,由耗尽型场效应管的电流方程可得
③列出输出回路电压方程
④验证假设是否成立。
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(2)图解法
场效应管的直流偏置电路与静态分析
场效应管放大电路
1.自给偏置电路
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2.分压式偏置电路
场效应管的直流偏置电路与静态分析
场效应管放大电路
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①求出栅极的分压UG
2.分压式偏置电路
场效应管的直流偏置电路与静态分析
场效应管放大电路
②列出输入回路电压方程
③假设管子工作在恒流区,由增强型场效应的电流方程可得
④列出输出回路电压方程
⑤验证假设是否成立
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iD/mA
uDS/V
0
uGS= -3V
uGS= -4V
uGS= -1V
uGS= -2V
uGS= 0V
A
B
Q
iD/mA
uGS/V
O
C
D
Q
E
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