2022-2023学年高二物理竞赛课件：三极管内部电流形成过程

三极管内部电流形成过程 a. 发射区向基区扩散电子形成发射极电流IE b. 向发射区扩散到基区的电子和基区的空穴 复合形成基极电流IB c. 集电区收集从发射区扩散过来的电子形成 发射极电流IC d.集电区、基区少子相互漂移形成反向饱和 电流ICBO 三极管内部电流形成过程 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 发射结回路为输入回路，集电结回路为输出回路。 定义 基极是两个回路的公共端，称这种接法为共基极接法。 称为共基极直流电流放大系数 输入回路 输出回路 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 各电极电流之间的关系 IE=IC+IB IB IC ICBO 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 晶体管共射极接法 原理图 电路图 IB IC ICBO 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 定义 为三极管共射极直流电流放大系数 IB IC ICBO 各电极电流之间的关系 ICEO称为穿透电流 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 得 或 的关系式 由 由 及 的定义 与 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 共基极交流电流放大系数 共射极交流电流放大系数 定义 α与β的关系 一般可以认为： 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 结论：在RC两端有一个较大的交流分量可供输出。 ui →ib→ic→icRc 交流信号的传递过程 T VBB VCC iB uBE _ uCE iC + RB RC ui + _ + _ iE (2) 放大原理 设输入信号ui=UimSinωt V 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 2.1.3 半导体三极管共射极接法的伏安特性曲线 1．共射极输入特性 共射极输入特性 三极管共射极接法 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 2．共射极输出特性 输出特性曲线 饱和区 截止区 放大区 i i B = 20 μ A 0 40 60 80 100 2 4 6 8 / V u CE 0 1 2 3 4 C / mA 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 各区的特点： （1）饱和区 UCE≤UBE 发射结正偏，集电结正偏 b. IC＜βIB IB失去了对IC的控制 c. UCE增大， IC 增大 饱和区 i i B = 20 μ A 0 40 60 80 100 2 4 6 8 / V u CE 0 1 2 3 4 C / mA d.饱和电压降UCES较小 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 $