2022-2023学年高二物理竞赛课件：半导体三极管的主要电参数

半导体三极管的主要电参数 半导体三极管的主要电参数 1. 直流参数 （3）发射极开路，集电极——基极间反向饱和电流ICBO （1）共基极直流电流放大系数 （2）共射极直流电流放大系数 （4）发射极开路，集电极——发射极间反向饱和电流ICEO 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 截止区 IB≈0 发射结反偏或零偏 放大区 UCE>UBE 发射结正偏，集电结反偏 b. IC=βIB c. IC与UCE无关 饱和区 放大区 i i B = 20 μ A 0 40 60 80 100 2 4 6 8 / V u CE 0 1 2 3 4 C / mA 截止区 b. IC=ICEO ≈0 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 NPN管与PNP型管的区别 iB、uBE、iC、 iE 、uCE的极性二者相反 PNP管电路 NPN管电路 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 硅管与锗型管的区别 （3） 锗管的ICBO比硅管大 （1） 死区电压约为 硅管0.5 V 锗管0.1V （2） 导通压降|uBE| 锗管0.3V 硅管0.7 V 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 2. 交流参数 （1）共基极交流电流放大系数α β值与iC的关系曲线 （2）共射极交流电流放大系数β 常数 iC 0 β 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 3. 极限参数 (4) 集电极最大允许电流ICM (1) 集电极开路时发射极——基极间反向击穿电压U（BR）EBO (2) 发射极开路时集电极——基极间反向击穿电压U（BR）CBO (3) 基极开路时集电极——发射极间反向击穿电压U（BR）CEO 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 iC uCE 0 U (BR)CEO ICM PCM 不安全区 安全区 (5) 集电极最大允许功率耗散PCM 晶体管的安工作全区 等功耗线PC=PCM =uCE×iC 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 2.1.5 温度对管子参数的影响 1．对β的影响 2．对ICBO的影响 3．对UBE的影响 4．温度升高，管子的死区电压降低。 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 小结： ▲三极管分NPN管和PNP管 ▲三极管的工作状态分为放大、饱和、截止三种状态 ▲三极管放大的条件是：发射结正偏，集电结反偏 ▲三极管是一种电流控制电流型器件：IC=βIB 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 思 考 题 2.如何用万用表判别晶体管的类型和电极？ 3. 为什么晶体管基区掺杂浓度小而且做的很薄？ 1. 晶体管的发射极和集电极是否可以调换使用？ 4. 晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数和在放大区工作时是否一样大？ 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 2．放大电路的主要性能指标 放大器性能指标测量原理方框图 被 测 放 大 电 路 负 载 正 弦 波 信 号 源 + − 直 流 电 源 + − + + − − 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 $