2022-2023学年高二物理竞赛课件：杂质半导体的转型

杂质半导体的转型 当掺入三价元素的密度大于五价元素的密度时，可将N型转型为P型； 杂质半导体的转型 当掺入五价元素的密度大于三价元素的密度时，可将P型转型为N型 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 c. 空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 e. 因空穴带正电，称这种半导体为p(positive)型或空穴型半导体。 f. 掺入的杂质能接受电子，称为受主杂质。 a. P型半导体是在本征半导体中掺入少量的三价杂质元素形成的。 b. P型半导体产生大量的空穴和负离子。 小结： d. np× nn=K(T) 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 以N型半导体为基片 通过半导体扩散工艺 3. PN结的形成 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 使半导体的一边形成N型区，另一边形成P型区 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - P - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 PN结形成过程动画演示 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 耗尽层 势垒区 空间电荷区 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - P - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 当漂移运动和扩散运动相等时，形成稳定的PN结 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 当N区和P区的掺杂浓度不等时： 离子密度大 空间电荷区的宽度较窄 离子密度小 空间电荷区的宽度较宽 高掺杂浓度区域用N+表示 + + + + + + _ _ _ _ _ _ P N + 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 1.1.2 PN结的单向导电性 1．PN结正向偏置 - - - - - - P N + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + R S E内 + + + + + + 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 PN结正偏动画演示 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 小结： ▲当PN结加上正向电压时，形成 多子的扩散电流（较大）。 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 - - - - - - P N + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + R S E内 + + + + + + 2．PN结反向偏置 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 $