2022-2023学年高二物理竞赛课件：共基极（CB）放大电路

共基极（CB）放大电路 共基极（CB）放大电路 1、电路结构 C1 C2 Rb1 RC RL RS uS EC + Rb2 Re Cb 2、静态分析    Rb1 Re EC + - UCE IB IE IC UBE + - Rb2 RC 射极输入，集电极输出。 3、动态分析 （1）画出微变等效电路： ib rbe ib b c e RC RL Re RS uS （2）交流参数分析： ⅰ：输入电阻 Ri ui + - R'i ie 共基极放大电路的输入电阻很小，一般只有几欧到几十欧。 b c e RC RL Re RS uS + rbe ⅱ ：输出电阻 ib RO R'O rce ib io i'o uO + - i'o R'S 结论：管端输出电阻很大 O be S S b i r R R i  +   - = （分流公式） ⅲ：电压增益 CB电路电压增益较大，输入、输出电压相位相同。 rbe ib b c e RC RL Re RS uS + ib uO + - ui + - R'i 三、三种基本组态放大电路的比较 共射CE 共集CC 共基CB uo与ui相位关系 输入电阻 管端输出电阻 电压增益 电流增益 频率响应 反相 同相 同相 适中 最大 最小 中等 最小 最大 较大 （<）1 较大 较大 较大 <1 差 较好 好 CE电路：具有较大的Au和Ai ， Ri和RO适中，常采用。 CC：电压跟随， Ri很高、RO很低，带负载能力强，常用作输入级、输出级或作为隔离用的中间级。 CB：频率特性好。 场效应管FET与BJT的比较 FET BJT 导电机理 单极型三极管 利用多子导电 双极型三极管 多子、少子都参与导电 结构对 称性 结构对称 一定条件下D、S可互换 结构不对称 C、E不能互换 控制方式 电压控制型器件 uGS控制iD 电流控制型器件 iB控制iC 直流输入电阻 直流输入电阻很大， JFET大于107Ω， MOSFET大于1010Ω 因发射结正偏， 直流输入电阻相对较小 稳定性及噪声 具有较好的温度稳定性、抗辐射性和低噪声 受温度和辐射影响较大 放大能力 gm较小，放大能力较弱 β较大，放大能力较强 讨论1 1. V＝2V、5V、10V时二极管中的直流电流各为多少？ 2. 若输入电压的有效值为5mV，则上述各种情况下二极管中的交流电流各为多少？ V 较小时应实测伏安特性，用图解法求ID。 Q ID V＝5V时， V=10V时， uD=V-iR 继续 8 理解二极管静态电流对动态电阻的影响，学会静态分析与动态分析的方法。 讨论1 V＝2V，ID≈2.6mA V＝5V，ID≈ 21.5mA V＝10V，ID≈ 50mA 在伏安特性上，Q点越高，二极管的动态电阻越小！ 2 讨论2－－作业 1. 分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态； 2. 已知T导通时的UBE＝0.7V，若uI=5V，则β在什么范围内T处于放大状态?在什么范围内T处于饱和状态？ 通过uBE是否大于Uon判断管子是否导通。 临界饱和时的 3 10 学会晶体管工作状态的判断方法。 作业： =50， USC =12V， RB =70k， RC =6k 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ USB =-2V， IB=0 ， IC=0， Q位于截止区 USB =2V， IB= (USB -UBE)/ RB =(2-0.7)/70=0.019 mA IC= IB =500.019=0.95 mA< ICS =2 mA ， Q位于放大区 IC最大饱和电流ICS = (USC -UCES)/ RC =(12-0)/6=2mA IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE 继续 IC UCE IB USC RB USB C B E RC =50， USC =12V， RB =70k， RC =6k 当USB = -2V，2V，5V时, 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ USB =5V， IB= (USB -UBE)/ RB =(5-0.7)/70=0.061 mA IC= IB =500.061=3.05 mA> ICS =2 mA ， Q位于饱和区(实际上，此时IC和IB 已不是的关系） 继续 $