内容正文:
晶体三极管
晶体三极管
双极型三极管:Bipolar Junction Transistor
只有一种极性的载流子参与导电.
三极管
有两种极性的载流子参与导电.
单极型三极管 (场效应管):Field Effect Transistor
按工作频率分:高频管、低频管
按功率分:小、中、大功率管
按材料分:硅管、锗管
按结构分:NPN型、PNP型
BJT的类型:
晶体三极管又称半导体三极管、晶体管,或简称为三极管
一、BJT的结构和工作原理
二、BJT的静态特性曲线
三、BJT的主要参数
四、BJT的交流小信号模型
1.3.1 三极管的结构
硅平面管
平面型(NPN)
N
e
c
N
P
b
二氧化硅
e 发射极
b基极
c 集电极
三极管结构示意图和符号 (a)NPN 型
e
c
b
符号
集电区
集电结
基区
发射结
发射区
集电极 c
基极 b
发射极 e
N
N
P
集电区
集电结
基区
发射结
发射区
集电极 c
发射极 e
基极 b
c
b
e
符号
N
N
P
P
N
三极管结构示意图和符号 (b)PNP 型
re
BJT由两个PN结和三个电极构成
+
+
NPN管比PNP管应用更广泛,特别在一般的半导体集成电路中,NPN管性能优于PNP管,故重点讨论NPN管。
基区
发射区
集电区
发射结
集电结
发射极
基极
集电极
注意区分两者的符号
箭头方向表示电流的实际方向
BJT结构特点:
(1)发射区高掺杂;
(2)基区很薄,掺杂浓度很低(几微米);
(3)集电区面积很大.
管芯结构剖面图
发射区
基区
集电区
+
--是BJT具有电流放大作用的内部因素
BJT的放大偏置
1、什么叫放大偏置?
放大偏置——“发射结正偏、集电结反偏”
P
N
P
b
c
e
+
-
+
-
UBE
UCE
b
c
e
iC
ie
ib
+
-
+
-
UBE
UCE
b
c
e
iC
ie
ib
N
P
N
b
c
e
2、放大偏置时BJT三个电极电位之间的关系:
识别管脚和判断管型的依据
—是BJT具有电流放大作用的外部因素
例 :测得放大电路中的某只晶体管三个管脚对机壳的电压如图所示:试判断该管管脚对应的电极,该管的类型及材料。
0.1V
0.78V
-11.5V
1、基极电位UB居中(可先识别基极);
3、NPN管:UC>UB>UE;
PNP管:UC<UB<UE;
B
C
E
该管为PNP型硅管
2、发射结正偏压降: |UBE| = 0.7(0.6)V (硅管)
|UBE| = 0.3(0.2)V (锗管)
可识别发射极(所剩者即为集电极);并判断管子材料;
识别管子类型(NPN/PNP)
例 :测得放大电路中的某只晶体管三个管脚对机壳的电压如图所示:试判断该管管脚对应的电极,该管的类型及材料。
1、基极电位UB居中(可识别基极);
3、NPN管:UC>UB>UE;
PNP管:UC<UB<UE;
2、发射结压降: |UBE| = 0.7(0.6)V (硅管)
|UBE| = 0.3(0.2)V (锗管)
可识别发射极——集电极;判断管子的材料;
识别管子类型(NPN/PNP)
7.5V
3.9V
3.2V
B
C
E
NPN型硅管
三极管内部结构要求:
N
N
P
e
b
c
N
N
N
P
P
P
1. 发射区高掺杂。
2. 基区很薄。且掺杂少。
三极管放大的外部条件:外加电源的极性应使发射结正偏,集电结反偏
3. 集电区面积大。
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