内容正文:
电路中存储器和可编程逻辑器件
半导体存储器是用来存储大量二值数据的半导体器件,
衡量存储器性能的主要指标是:“存储容量”和“存取速度”。
对存储器的操作通常分为两类:
写——把信息存入存储器的过程
读——从存储器中取出信息的过程
存储容量—存储器能存放二值信息的多少。单位是位或
比特(bit)。1K=210=1024,1M=210K=220。
存取速度—存储器读出(或写入)数据的时间。一般用读(或写)周期来表示。
电路中存储器和可编程逻辑器件
一、半导体存储器的分类
1、按存取方式(存储功能)分为ROM和RAM。
(1)只读存储器ROM ( Read Only Memory)
在正常工作状态下,只能从存储器中读取数据,不能快速地随时修改或重新写入数据。
数据具有非易失性,断电后数据不会丢失。
(2)随机存取存储器RAM (Random Access Memory)
在正常工作状态下,可以随时向存储器写入或读出数据。
数据具有易失性,断电后数据会丢失。
2、按制造工艺分为TTL型和CMOS型。
二、半导体存储器的基本结构
地址译码器
存储
矩阵
输出控
制电路
地址输入
控制信号输入
数据输入/输出
半导体存储器的基本结构
三个组成部分:
存储矩阵、
地址译码器、
输出控制电路。
三类信号线:
地址线、
数据线、
控制线。
1、存储矩阵
存储矩阵由许多存储单元构成,
每个存储单元存放1位二值数据,
存储单元通常排列成矩阵形式。
字、字长和存储容量的概念:
存储器以字为单位组织内部结构,
1个字中所含的位数(存储单元个数)称为“字长”。
如:1位、4位、8位(1字节)、16位。
存储器的容量
字数
字长
如:容量为32k8位
2、地址译码器
存储器以字为单位进行数据的存取(读/写操作)。
为区别各个不同的字,给每个字赋予不同的地址代码,
地址译码器就用来实现地址的选择——“寻址”。
地址译码器的输入——地址线。
地址译码器的输出——字线,
每条字线控制存储矩阵中的一个字。
地址译码器
存储
矩阵
输出控
制电路
地址输入
控制信号输入
数据输入/输出
半导体存储器的基本结构
3、输出控制电路
地址译码器
存储
矩阵
输出控
制电路
地址输入
控制信号输入
数据输入/输出
半导体存储器的基本结构
为实现与系统的总线连接,输出电路都采用三态输出结构。
控制信号一般包括片选信号和读/写控制信号:
存储矩阵与输出电路的连线称为位线。
存储器数据线的数目等于存储器的字长。
40968位存储器的数据线数为:
8
只读存储器ROM
只读存储器属于组合逻辑电路。
ROM
EPROM
闪烁存储器
PROM
E2PROM
固定ROM
(掩膜ROM)
可编程ROM
采用掩膜技术生产,
出厂时,存储器存储的内容全部为1(或0),用户可以根据自己的需要,利用通用或专用的编程器将某些单元改写为0(或1)。
数据由用户编程写入,可以多次擦除改写。
一旦制成,存储的数据固定不变,用户无法更改。
编辑母版文本样式
第二级
第三级
第四级
第五级
4×4位ROM
地址译码器
存储体
继续
8
A1=0A0=0
W0=1
W1=0
W2=0
W3=0
D3=1
D1=1
D0=1
D2=0
继续
9
A1=0A0=1
W0=0
W1=1
W2=0
W3=0
D3=0
D1=0
D0=1
D2=1
继续
10
A1=1A0=0
W0=0
W1=0
W2=1
W3=0
D3=1
D1=0
D0=0
D2=1
继续
11
A1=1A0=1
W0=0
W1=0
W2=0
W3=1
D3=0
D1=1
D0=1
D2=1
与或
12
&
&
&
&
≥1
≥1
≥1
≥1
1
1
D3 D2 D1 D0
A1
A0
W0
W1
W2
W3
&
&
&
&
≥1
≥1
≥1
≥1
1
1
D3 D2 D1 D0
A1
A0
W0
W1
W2
W3
地 址
A1 A0
字 线
W0 W1 W2 W3
存 储 内 容
D3 D2 D1 D0
0 0
0 1
1 0
1 1
1 0 0 0
0 1 0 0
0 0 1