2022-2023学年高二物理竞赛课件：MOS管的输入、输出特性

MOS管的输入、输出特性 MOS管的输入、输出特性 栅极电流为零，无输入特性 输出特性曲线 （漏极特性曲线） NMOS管的基本开关电路 当vI=vGS<VGS(th)时，MOS管截止。D-S间相当于断开的开关，vO≈vDD MOS管的四种基本类型 G S D N 沟道耗尽型 G S D N沟道增强型 G S D P 沟道增强型 G S D P 沟道耗尽型 在数字电路中，多采用增强型。 MOS管另外二种常用符号 栅极(gate) 源极(source) 漏极 (drain) Vgs N沟道MOS管 + - 继续 栅极 源极 漏极 Vgs P沟道MOS管 + - 在卡诺图化简中的应用 无关项可以是1，也可以是0，到底取什么值，应以使包围圈尽可能大为原则。 例题： 约束条件： AB CD 00 01 11 10 00 01 11 10 1  1 1 1 1      不用约束条件，结果为： 在卡诺图中，无关项可以是1，也可以是0，到底取什么值，应以使包围圈尽可能大为原则。 例题： 约束条件： AB CD 00 01 11 10 00 01 11 10 1  1 1 1 1      不用约束条件，结果为： 利用约束条件，结果为： 例 用卡诺图化简逻辑函数 解：有两种化简方案： 化简结果为 化简结果为 继续 将 d10 看成 0,其余×看成 1 [例] 用卡诺图化简函数 Y=∑m (0,1,4,6,9,13)+ ∑d (2,3,5,7,10,11,15) AB CD 00 01 11 10 00 01 11 10 1 1 1 1 1 最小项 无关项 1 × × × × × × × × PMOS管的基本开关电路 1、PMOS的VGS(th)为负，VGS越负，漏极电流越大 2、当vI= 0，MOS管截止，输出为低. VOL ≈- VDD 3、当vI=vGS< VGS(th)，MOS管导通，输出为高； VOH ≈0； 对漏极电阻RD的阻值要求？ 总结 MOS开关的动态特性 开关状态下，只有一种载流子参与导电，没有大量存储电荷问题；影响开关速度的主要是栅源电容、漏极电容、负载电容等 MOS管导通电阻大于TTL饱和导通电阻，而且RD大于RC，因此MOS管对电容充放电时间长一些，即：MOS管开关速度小于TTL - -VDD + - Vi iD Vo + RD $