2022-2023学年高二物理竞赛课件：电路中的晶体管习题

电路中的晶体管习题课件 第 2 页 （2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？ 例：电路如图所示，晶体管的＝100， =100Ω。 （1）求电路的Q点、及动态参数 解：静态分析： 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 3 页 动态分析： （2）Ri增大，Ri≈4.1kΩ； ≈－1.92。 减小， ≈－1.92 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 4 页 例：图中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如NPN型、PNP型）及管脚（b、e、c）。 不能 构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。 不能 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 5 页 PNP型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。 构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 6 页 例：试分析图所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 可能 不合理。因为G-S间电压可能大于零。 不能。因为T截止。 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 7 页 例：未画完的场效应管放大电路如图所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。要求给出两种方案。 耗尽型N沟道 共源 耗尽型P沟道 共漏 单击此处编辑母版文本样式 第二级 第三级 第四级 第五级 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 8 页 例：改正图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共源接法。 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 9 页 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 10 页 例：已知图（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求解电路的Q点和 解：（1）求Q点： 根据电路图可知， UGSQ＝VGG＝3V。 从转移特性查得，当UGSQ＝3V时的漏极电流IDQ＝1mA 因此管压降UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V。 单击此处编辑母版文本样式 第二级 第三级 第四级 第五级 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 11 页 （2）求电压放大倍数： 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 12 页 例：电路如图所示，已知β1=β2=β3=100。各管的UBE均为0.7V，试求IC2的值。 解： 单击此处编辑母版文本样式 第二级 第三级 第四级 第五级 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 $