2022-2023学年高二物理竞赛课件：各种放大器件电路性能比较

各种放大器件电路性能比较 第 2 页 各种放大器件电路性能比较 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 3 页 主要内容 MOS场效应管 MOSFET放大电路 结型场效应管 各种放大器件电路性能比较 重点与总结 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 4 页  6.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。     7.MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。 先用万用表R*100KΩ挡（内置有15V电池），把负表笔（黑）接栅极（G），正表笔（红）接源极（S）。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再该用万用表R*1Ω挡，将负表笔接漏极（D），正表笔接源极（S），万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。 乱七八糟 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 5 页 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG BJT FET CE： CC： CB： CS： CD： CG： 电压增益： 无聊 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 6 页 BJT FET CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 输入电阻： 输出电阻： 操操操 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 7 页 重点与总结 MOSFET(D,E型)，JEFT工作原理,V-I特性。 直流通路、稳态工作点求解；状态判断。 各种组态下的小信号模型；参数求解。 交流通路、等效电路画法；指标求解。 与BJT的联系与区别。 乱七八糟 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 8 页 作业 对本章讲课的意见。 习题：5.1.2 5.2.3 5.2.6 5.2.9 5.3.7 5.3.9 5.5.1 5.5.2 谢谢！ 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 9 页 例：试分析图所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 可能 不合理。因为G-S间电压可能大于零。 不能。因为T截止。 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 10 页 例：未画完的场效应管放大电路如图所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。要求给出两种方案。 耗尽型N沟道 共源 耗尽型P沟道 共漏 编辑母版文本样式 第二级 第三级 第四级 第五级 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 11 页 例：改正图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共源接法。 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 12 页 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 $