2022-2023学年高二物理竞赛课件:结型场效应管

2023-07-01
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内容正文:

结型场效应管 第 2 页 JFET的结构和工作原理 JFET的特性曲线及参数 JFET放大电路的小信号模型分析法 结型场效应管 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 3 页 主要内容 MOS场效应管 MOSFET放大电路 结型场效应管 各种放大器件电路性能比较 重点与总结 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 4 页 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么? 5.3.1 JFET的结构和工作原理 我也不知道 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 5 页 ③ vGS和vDS同时作用时 当VP <vGS<0 时,导电沟道更容易夹断, 对于同样的vDS , ID的值比vGS=0时的值要小。 在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP 讲不清楚 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 6 页 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电, 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件,iD受vGS控制。 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系;预夹断后, iD趋于饱和。 JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的,因 此iG0,输入电阻很高。 综上分析可知 有时间就当植物看看吧 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 7 页 2. 转移特性 1. 输出特性 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 与MOSFET类似 3. 主要参数 转移特性好像就是那个二次曲线 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 8 页 (1)低频模型 5.3.3 FET放大电路的小信号模型分析法 1. FET小信号模型 一断一并啥 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 9 页 (2)高频模型 四面楚歌全是电容 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 10 页 2. 动态指标分析 (1)中频小信号模型 乱七八糟 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 11 页 (3)输入电阻 忽略 rds, 由输入输出回路得 则 通常 则 (4)输出电阻 (2)中频电压增益 啥啊翔翔翔 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 12 页 1.MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中,切勿自行随便拿塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起,或用锡纸包装。 2.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动,应用金属盘来盛放待用器件。 3.焊接用的电烙铁必须良好接地。      4.在焊接前应把电路板的电源线与地线短接,再MOS器件焊接完成后在分开。 5.MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。          妈的这种东西怎么会考 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 $

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