2022-2023学年高二物理竞赛课件：电路中的小信号模型分析

电路中的小信号模型分析 第 2 页 （1）模型 静态值 （直流） 动态值 （交流） 非线性失真项 当vgs<< 2(VGSQ- VT )时， 电路中的小信号模型分析 这东西真的是二次的什么 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 3 页 可变电阻区 N沟道耗尽型: 用VP代替VT即可 4. P沟道器件只要记住电流反向,用Kp取代Kn即可。 饱和区 是vGS＝0时的iD 什么叫只要，究竟是怎么回事我都还不知道呢 编辑母版文本样式 第二级 第三级 第四级 第五级 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 4 页 2. 图解分析 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 不懂啊 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 5 页 3. 小信号模型分析 （1）模型 0时 高频小信号模型 电容什么的真的像钢架子一样往我肉里戳 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 6 页 解：例5.2.2的直流分析已求得： （2）放大电路分析（例5.2.5） s 乱七八糟，我头重脚轻了 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 7 页 s 真不懂 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 8 页 共漏 头痛 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 9 页 被虐杀了 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 10 页 总结二： 1.MOSFET交流小信号模型的嵌入和BJT遵守的规则一致. 0时 2. 模型参数及参考方向 栅源电阻一般很大,认为gs间开路 输出电阻考虑沟道调制效应时存在: gm的求解 因此,无论哪种MOSFET,求解得出的gm都认为正,各电压和电流参考方向如图所示.只是求总电流要注意. 真不会 编辑母版文本样式 第二级 第三级 第四级 第五级 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 11 页 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP <0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。   vGS继续减小，沟道继续变窄。 工作原理 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 1. 从物理意义上解释低通电路 2. 稳态分析方法 3. 增益与传递函数 4. 复数的模与相角 第 12 页 ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS  ID  G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS  夹断区延长  沟道电阻  ID基本不变  文绉绉个腿啊 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 $