2022-2023学年高二物理竞赛课件：N沟道耗尽型MOSFET

N沟道耗尽型MOSFET 第 2 页 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流 N沟道耗尽型MOSFET 1. 结构和工作原理（N沟道） 图线什么的不懂啊 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 3 页 主要内容 MOS场效应管 MOSFET放大电路 结型场效应管 各种放大器件电路性能比较 重点与总结 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 4 页 n ：反型层中电子迁移率 Cox ：栅极（与衬底间）氧化层单位面积电容 本征电导因子 其中 Kn为电导常数，单位：mA/V2 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 5 页 饱和区 （恒流区又称放大区） vGS >VT ，且vDS≥（vGS－VT） 是vGS＝2VT时的iD V-I 特性： 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 6 页 （2）转移特性 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 7 页 （N沟道增强型） 2. V-I 特性曲线及大信号特性方程 二次曲线？ 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 8 页 P沟道MOSFET vGS＞VT VT为负值 截止区 vGS ＜VT ，且vDS≥（vGS－VT） 可变电阻区 vGS ＜VT ，且vDS＜（vGS－VT） 饱和区 平方？ 乱七八糟 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 9 页 实际上饱和区的曲线并不是平坦的 L的单位为m 当不考虑沟道调制效应时，＝0，曲线是平坦的。 修正后 沟道长度调制效应 真不太懂 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 10 页 一、直流参数 1. 开启电压VT （增强型参数） 2. 夹断电压VP （耗尽型参数） 3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数） 4. 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ） 二、交流参数 1. 输出电阻rds NMOS增强型 当不考虑沟道调制效应时，＝0，rds→∞ MOSFET的主要参数 乱七八糟，我记不住 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 11 页 2. 低频互导gm 考虑到 则 其中 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 12 页 极限参数 1. 最大漏极电流IDM 2. 最大耗散功率PDM 3. 最大漏源电压V（BR）DS 4. 最大栅源电压V（BR）GS 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 $