2022-2023学年高二物理竞赛课件：共射极放大电路的工作原理

共射极放大电路的工作原理 第 2 页 基本共射极放大电路 共射极放大电路的工作原理 基本共射极放大电路的组成 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 3 页 1. 静态(直流工作状态) 输入信号vi＝0时，放大电路的工作状态称为静态或直流工作状态。 直流通路 VCEQ=VCC－ICQRc 基本共射极放大电路的工作原理 四个值（IBQ,ICQ,VBEQ,VCEQ）必须会求 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 4 页 2. 动态 输入正弦信号vs后，电路将处在动态工作情况。此时，BJT各极电流及电压都将在静态值的基础上随输入信号作相应的变化。 交流通路 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 5 页 重要提示： 1) 工程分析计算时，将直流和交流分开进行，分析直流时，可将交流源置零（置零的含义？），分析交流时可将直流源置零，总响应为两个单独响应的叠加。 2) 直流工作点的计算非常重要。直流通路的画法：交流信号源置零；容量较大的电容视为开路；较大的电感视为短路。后续会利用计算的直流工作点判断三极管的工作状态。 3）交流通路的画法：直流源置零；一定频率范围内容量较大的电容视为短路；较大的电感视为开路。 4）P119的上面一段话。 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 6 页 (1) 温度对ICBO的影响 温度每升高10℃，ICBO约增加一倍。 (2) 温度对 的影响 温度每升高1℃，  值约增大0.5%~1%。 (3) 温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响 温度升高时，V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。 2. 温度对BJT特性曲线的影响 1. 温度对BJT参数的影响 温度对BJT参数及特性的影响 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 7 页 (1) 集电极最大允许电流ICM (2) 集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCE 极限参数 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 8 页 主要内容 BJT 基本共射极放大电路 放大电路的分析方法 放大电路静态工作点的稳定问题 共集电极放大电路和共基极放大电路 组合放大电路 放大电路的频率响应 重点与总结 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 9 页 反向击穿电压  V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反 向击穿电压。  V(BR) EBO——集电极开路时发射结的反 向击穿电压。  V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 10 页 (4) 特征频率fT 三极管的β值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的β将会下降。当β下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 11 页 双极型三极管的参数  参数型号 PCM mW ICM mA VRCBO V VRCEO V ICBO μA VREBO V fT MHz 3AX31D       125 125 20 12 　 ≤6 *≥8 3BX31C   125 125 40  24 　 ≤6  *≥8 3CG101C      100 30 45 　 　 0.1 100 3DG123C      500 50 40 30 　 0.35 　 SDD101D       5A 5A 300 250 4 <2mA 　 3DK100B       100 30 25 15 　 ≤0.1 300 3DKG23      250W 30A 400 325 　 　 8 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 12 页 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 $