2022-2023学年高二物理竞赛课件:二极管基本电路及其分析方法

2023-07-01
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二极管基本电路及其分析方法 第 2 页 简单二极管电路的图解分析方法 二极管电路的简化模型分析方法 二极管基本电路及其分析方法 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 3 页 主要内容 半导体的基本知识 PN结的形成及特性 二极管 二极管的基本电路及其分析方法 特殊二极管 重点与总结 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 4 页 VBE 、IB –(大写符号,大写下标)表示直流值。 vbe 、ib –(小写符号,小写下标)表示交流值。 vBE 、iB – (小写符号,大写下标)表示交直流量之和。 Vbe 、Ib –(大写符号,小写下标)表示交流有效值。 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 5 页 二极管是一种非线性器件,因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法,相对来说比较复杂,而图解分析法则较简单,但前提条件是已知二极管的V -I 特性曲线。 简单二极管电路的图解分析方法 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 6 页 例:电路如图所示,已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R,求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解:由电路的KVL方程,可得 即 是一条斜率为-1/R的直线,称为负载线 Q的坐标值(VD,ID)即为所求。Q点称为电路的工作点 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 7 页 1.二极管V-I 特性的建模 将指数模型 分段线性化,得到二极管特性的等效模型。 (1)理想模型 (a)V-I特性 (b)代表符号 (c)正向偏置时的电路模型 (d)反向偏置时的电路模型 二极管电路的简化模型分析方法 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 8 页 (2)恒压降模型 (a)V-I 特性 (b)电路模型 (3)折线模型 (a)V-I特性 (b)电路模型 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 9 页 (4)小信号模型 vs =0 时, Q点称为静态工作点 ,反映直流时的工作状态。 vs =Vmsint 时(Vm<<VDD), 将Q点附近小范围内的V-I 特性线性化,得到小信号模型,即以Q点为切点的一条直线。 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 10 页 过Q点的切线可以等效成一个微变电阻 即 根据 得Q点处的微变电导 常温下(T=300K) 则 (a)V-I特性 (b)电路模型 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 11 页 特别注意: 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 该模型用于二极管处于正向偏置条件下,且vD>>VT 。 (a)V-I特性 (b)电路模型 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 12 页 模型分析法应用举例 整流电路 (a)电路图 (b)vs和vo的波形 一般利用假设法分析 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 $

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