2022-2023学年高二物理竞赛课件：特殊二极管

特殊二极管 第 2 页 1.符号及稳压特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。 特殊二极管 齐纳二极管(稳压二极管) 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 3 页 静态工作情况分析 理想模型 （R=10k） 当VDD=10V 时， 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 当VDD=1V 时， （自看） （a）简单二极管电路 （b）习惯画法 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 4 页 限幅电路 电路如图，R = 1kΩ，VREF = 3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当vI = 6sint V时，绘出相应的输出电压vO的波形。 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 5 页 解： 先断开D，以O为基准电位， 即O点为0V。 开关电路 电路如图所示，求AO的电压值 则接D阳极的电位为-6V，接阴极的电位为-12V。 阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通。 导通后，D的压降等于零，即A点的电位就是D阳极的电位。 所以，AO的电压值为-6V。 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 6 页 小信号工作情况 分析 图示电路中，VDD = 5V，R = 5k，恒压降模型的VD=0.7V，vs = 0.1sinwt V。（1）求输出电压vO的交流量和总量；（2）绘出vO的波形。 直流通路、交流通路、静态、动态等概念，在放大电路的分析中非常重要。 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 6 动画先播放... text has been truncated due to evaluation version limitation. 第 7 页 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 8 页 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 9 页 主要内容 半导体的基本知识 PN结的形成及特性 二极管 二极管的基本电路及其分析方法 特殊二极管 重点与总结 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 10 页 (1) 稳定电压VZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 (2) 动态电阻rZ rZ =VZ /IZ (3)最大耗散功率 PZM (4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin (5)稳定电压温度系数——VZ 2. 稳压二极管主要参数 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 11 页 3. 稳压电路 正常稳压时 VO =VZ 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 12 页 例：已知图所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。Ui=12v。求Uo 解： 首先判断是否在稳压工作区间。利用假设法。 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 $