内容正文:
半导体二极管
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半导体二极管的结构
二极管的伏安特性
二极管的主要参数
半导体二极管
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PN结的反向击穿
当PN结的反向电压增加到一定数值时,反向电流突然快速增加,此现象称为PN结的反向击穿。
热击穿——不可逆
雪崩击穿
齐纳击穿
电击穿——可逆
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(1) 扩散电容CD
扩散电容示意图
PN结的电容效应
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主要内容
半导体的基本知识
PN结的形成及特性
二极管
二极管的基本电路及其分析方法
特殊二极管
重点与总结
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在PN结上加上引线和封装,就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。
(1) 点接触型二极管
(a)点接触型
二极管的结构示意图
PN结面积小,结电容小,用于检波和变频等高频电路。
3.3.1 半导体二极管的结构
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(a)面接触型 (b)集成电路中的平面型 (c)代表符号
(2) 面接触型二极管
PN结面积大,用于工频大电流整流电路。
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二极管的伏安特性曲线可用下式表示
锗二极管2AP15的V-I 特性
硅二极管2CP10的V-I 特性
3.3.2 二极管的伏安特性
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(1) 最大整流电流IF
(2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM
(3) 反向电流IR和反向恢复电流IRM
(4) 正向压降VF
(5) 极间电容CJ(CB、 CD )
3.3.3 二极管的主要参数
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1N4001-1N4007
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