2022-2023学年高二物理竞赛课件:半导体二极管

2023-07-01
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半导体二极管 第 2 页 半导体二极管的结构 二极管的伏安特性 二极管的主要参数 半导体二极管 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 3 页 PN结的反向击穿 当PN结的反向电压增加到一定数值时,反向电流突然快速增加,此现象称为PN结的反向击穿。 热击穿——不可逆 雪崩击穿 齐纳击穿 电击穿——可逆 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 4 页 (1) 扩散电容CD 扩散电容示意图 PN结的电容效应 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 5 页 主要内容 半导体的基本知识 PN结的形成及特性 二极管 二极管的基本电路及其分析方法 特殊二极管 重点与总结 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 6 页 在PN结上加上引线和封装,就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。 (1) 点接触型二极管 (a)点接触型 二极管的结构示意图 PN结面积小,结电容小,用于检波和变频等高频电路。 3.3.1 半导体二极管的结构 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 7 页 (a)面接触型 (b)集成电路中的平面型 (c)代表符号 (2) 面接触型二极管 PN结面积大,用于工频大电流整流电路。 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 8 页 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 3.3.2 二极管的伏安特性 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 9 页 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM (3) 反向电流IR和反向恢复电流IRM (4) 正向压降VF (5) 极间电容CJ(CB、 CD ) 3.3.3 二极管的主要参数 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 10 页 1N4001-1N4007 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 11 页 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 12 页 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 $

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