2022-2023学年高二物理竞赛课件：模拟集成电路

模拟集成电路 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 2 页 主要内容 模拟集成电路中的直流偏置技术 差分式放大电路 差分式放大电路的传输特性 集成电路运算放大器 主要参数和对应用电路的影响 变跨导式模拟乘法器 重点与总结 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 3 页 BJT电流源电路 FET电流源 1. 镜像电流源 2. 微电流源 3. 高输出阻抗电流源 4. 组合电流源 1. MOSFET镜像电流源 2. MOSFET多路电流源 3. JFET电流源 模拟集成电路中的直流偏置技术 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 4 页 T1、T2的参数全同 即β1＝β2，ICEO1＝ICEO2 当BJT的β较大时，基极电流IB可以忽略 Io＝IC2≈IREF＝ 代表符号 BJT电流源电路 1. 镜像电流源 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 5 页 一般ro在几百千欧以上 动态电阻 1. 镜像电流源 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 6 页 2. 微电流源 由于 很小， 所以IC2也很小。 ro≈rce2（1＋ ） （参考射极偏置共射放大电路的输出电阻 ） 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 7 页 当器件具有不同的宽长比时 （=0） ro= rds2 MOSFET基本镜像电流流 6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 8 页 用T3代替R，T1~T3特性相同，且工作在放大区，当=0时，输出电流为 常用的镜像电流源 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 9 页 2. MOSFET多路电流源 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 10 页 (a) 电路 (b) 输出特性 3. JFET电流源 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 第 11 页 ui RC1 R1 T1 增加R2 、RE2 : 用于设置合适的Q点。 问题 1 :前后级Q点相互影响。 +UCC uo RC2 T2 R2 RE2 直接耦合电路存在特殊问题 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 11 第 12 页 问题 2 :零点漂移。 前一级的温漂将作为后一级的输入信号，使得当 ui 等于零时， uo不等于零。 ui RC1 R1 T1 +UCC uo RC2 T2 R2 RE2 uo t 0 有时会将信号淹没 武汉大学电气工程学院 模拟电子技术 $