2022-2023学年高二物理竞赛课件：MOS管的基本开关电路

MOS管的基本开关电路 MOS管的基本开关电路 二极管与门 设VCC = 5V 加到A,B的 VIH=3V VIL=0V 二极管导通时 VDF=0.7V A B Y 0V 0V 0.7V 0V 3V 0.7V 3V 0V 0.7V 3V 3V 3.7V A B Y 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 规定3V以上为1 0.7V以下为0 3.2.3 二极管或门 加到A,B的 VIH=3V VIL=0V 二极管导通时 VDF=0.7V A B Y 0V 0V 0V 0V 3V 2.3V 3V 0V 2.3V 3V 3V 2.3V A B Y 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 规定2.3V以上为1 0V以下为0 二极管构成的门电路的缺点 电平有偏移 带负载能力差 只用于IC内部电路 3.3 CMOS门电路 3.3.1 MOS管的开关特性 一、结构和工作原理：以N沟道增强型为例 以N沟道增强型为例： 当加+VDS时， VGS=0时，D-S间是两个背向PN结串联，iD=0 加上+VGS，且足够大至VGS >VGS (th), D-S间形成导电沟道（N型层） 开启电压 二、输入特性和输出特性 输入特性：直流电流为0，看进去有一个输入电容CI，对动态有影响。 输出特性： iD = f (VDS) 对应不同的VGS下得一族曲线 。 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区 恒流区 可变电阻区 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区：VGS<VGS(th)，iD = 0, ROFF > 109Ω 漏极特性曲线（分三个区域） 恒流区： iD 基本上由VGS决定，与VDS 关系不大 漏极特性曲线（分三个区域） 可变电阻区：当VDS 较低（近似为0），VGS 一定时， 这个电阻受VGS 控制、可变。 $