2022-2023学年高二物理竞赛课件：CMOS传输门及双向模拟开关

CMOS传输门及双向模拟开关 CMOS传输门及双向模拟开关 1. 传输门 2. 双向模拟开关 C=1导通做传输门用 C=0截至输出高阻态 三态输出门 三态门的用途 数据总线结构 双向传输 CMOS电路的正确使用 　　(1) 输入电路的静电防护 　　措施：运输时最好使用金属屏蔽层作为包装材料；组装、调试时，仪器仪表、工作台面及烙铁等均应有良好接地；不使用的多余输入端不能悬空，以免拾取脉冲干扰。 　　(2) 输入端加过流保护 　　措施：在可能出现大输入电流的场合必须加过流保护措施。如在输入端接有低电阻信号源时、在长线接到输入端时、在输入端接有大电容时等，均应在输入端接入保护电阻RP。 CMOS集成电路的各种系列 4000系列：有较宽的工作电压范围（3-18V），传输时间100ns，带载能力差，最大负载电流0.5mA。 HC/HCT：传输时间10ns，带载能力4mA，HCT工作在单一5V电源下，与TTL电平兼容。 AHC/AHCT：比HC/HCT系列工作速度带载能力都提高了一倍。 LVC：低压系列，传输时间3.8ns，最大负载电流24mA。 ALVC：在LVC基础上性能进一步提高。 双极型三极管的基本开关电路 只要参数合理： VI=VIL时，T截止，VO=VOH VI=VIH时，T导通，VO=VOL=VCES ≈0 TTL门电路 一、工作状态分析： 二、三极管的开关等效电路 截止状态 饱和导通状态 三、动态开关特性 从二极管已知，PN结存在电容效应。 在饱和与截止两个状态之间转换时，iC的变化将滞后于VI，则VO的变化也滞后于VI。 若A为低电平，VB1=0.9V<1.4V，T1饱和导通。T2、T5截止，VC2高电平，使T4、D2通，VO=3.6V，为高电平。 若A为高电平， VB1=4.1V>2.1V，T1倒置放大，T2、T5饱和，VC2≈0.8V，不足以使T4、D2同时通，故VO=0.2V，为低电平。 $