2022-2023学年高二物理竞赛课件：外接负载电阻RL的计算

外接负载电阻RL的计算 外接负载电阻RL的计算 三态输出门（Three state Output Gate ,TS） 三态门的用途 一、高速系列74H/54H （High-Speed TTL） 1、电路的改进 (1)输出级采用复合管（减小输出电阻Ro） (2)减少各电阻值 2. 性能特点 速度提高 的同时功耗也增加 TTL电路的改进系列（改进指标) 例设硅稳压管DZ1、 DZ2的稳定电压分别为5V、10V，又已知DZ1、 DZ2正向压降为0.7V，求V0 解：(a) DZ1、 DZ2工作在反向击穿区  V0 = 5 +10 =15V (b) DZ1、 DZ2工作在正向导通区  V0 = 0.7 + 0.7 =1.4V DZ1 DZ2 +  25V 1K V0 (a) DZ1 DZ2 +  25V 1K V0 (b) (恒压降模型) 45 6 RL IO IR VO VO IZ IR + _ + _ VI VO IR IZ IO( IL) R RL DZ 44 电源极性反接保护 若电源极性错接，则二极管D1 、 D2不能导通，使电源被断开。 D1 D2 +UCC -UCC + - ∞ + u+ u- uO 保护措施 Protection Measures 9 二.磁致冷却效应 1.取 T, H 为自变量，S=S(T,H) 2.磁致冷却的过程：等温磁化、绝热退磁。 10 磁致伸缩与磁致压缩效应 考虑磁介质体积变化时的热力学系统 麦氏关系： 磁致伸缩 压磁效应 吉布斯函数 11 相应的，若在电介质中，有 则： 压电效应 电致伸缩 肖特基系列74S/54S（Schottky TTL） 1、电路改进 采用抗饱和三极管 用有源泄放电路代替74H系列中的R3 减小电阻值 2. 性能特点 速度进一步提高，电压传输特性没有线性区，功耗增大 其他类型的双极型数字集成电路* DTL：输入为二极管门电路，速度低，已经不用 HTL：电源电压高，Vth高，抗干扰性好，已被CMOS替代 ECL：非饱和逻辑，速度快，用于高速系统 I2L：属饱和逻辑，电路简单，用于LSI内部电路 $