2022-2023学年高二物理竞赛课件：JFET的特性曲线及参数

JFET的特性曲线及参数 vGS=0V vGS=-0.5V vDS/V iD(mA) vGS=-1V vGS=-1.5V 可变电阻区 饱 和 区 击 穿 区 预夹断点：vGD=vP vDS=vGS-VP 截止区 VGG d N P+ s g P+ VDD ID mV V mA (a)可变电阻区(预夹断前) 当VP<vGS≤0，vDS ≤vGS-VP V-I特性： (1)当vGS 为定值时,iD 是 vDS 的线性函数，管子的漏源间呈现为线性电阻，且其阻值受 vGS 控制。 (2) 管压降vDS 很小 用途： 做压控线性电阻和无触点的闭合状态的电子开关。 2 JFET的特性曲线及参数 1.输出特性曲线 5.2 MOSFET 放 大 电 路 MECHANICAL & ELECTRICAL ENGINEERING COLLEGE OF SHANDONG A GRICULTURAL UNIVERSITY 26- 5.2 MOSFET 放 大 电 路 MECHANICAL & ELECTRICAL ENGINEERING COLLEGE OF SHANDONG A GRICULTURAL UNIVERSITY 26- (b)恒流区(预夹断后) (又称饱和区或放大区） 当VP<vGS≤0，vDS>vGS-VP V-I特性： vGS=0V vGS=-0.5V vDS/V iD(mA) vGS=-1V vGS=-1.5V 可变电阻区 饱 和 区 击 穿 区 预夹断点：vGD=vP vDS=vGS-VP 截止区 3 (1)受控性： 输出电流iD受输入电压vGS 的控制 (2)恒流性： 输出电流iD 基本上不受输出 电压vDS的影响。 用途: 可做放大器和恒流源。 JFET的特性曲线及参数 1.输出特性曲线 5.2 MOSFET 放 大 电 路 MECHANICAL & ELECTRICAL ENGINEERING COLLEGE OF SHANDONG A GRICULTURAL UNIVERSITY 26- 5.2 MOSFET 放 大 电 路 MECHANICAL & ELECTRICAL ENGINEERING COLLEGE OF SHANDONG A GRICULTURAL UNIVERSITY 26- (c)夹断区(截止区) 特点： 用途： 做无触点的、断开状态的电子开关。 条件： 整个沟道都夹断 vGS=0V vGS=-0.5V vDS/V iD(mA) vGS=-1V vGS=-1.5V 可变电阻区 饱 和 区 击 穿 区 预夹断点：vGD=vP vDS=vGS-VP 截止区 4 JFET的特性曲线及参数 1.输出特性曲线 5.2 MOSFET 放 大 电 路 MECHANICAL & ELECTRICAL ENGINEERING COLLEGE OF SHANDONG A GRICULTURAL UNIVERSITY 26- 5.2 MOSFET 放 大 电 路 MECHANICAL & ELECTRICAL ENGINEERING COLLEGE OF SHANDONG A GRICULTURAL UNIVERSITY 26- 当漏源电压增大到V(BR)DS时，漏端PN结发生雪崩击穿，使iD 剧增的区域。其值一般为(20~50)V之间。管子不能在击穿区工作。 (d) 击穿区 动 画 5.3 结 型 场 效 应 管 JFET vGS=0V vGS=-0.5V vDS/V iD(mA) vGS=-1V vGS=-1.5V 可变电阻区 饱 和 区 击 穿 区 预夹断点：vGD=vP vDS=vGS-VP 截止区 5 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 1.输出特性曲线 5.2 MOSFET 放 大 电 路 MECHANICAL & ELECTRICAL ENGINEERING COLLEGE OF SHANDONG A GRICULTURAL UNIVERSITY 26- 5.2 MOSFET 放 大 电 路 MECHANICAL & ELECTRICAL