2022-2023学年高二物理竞赛课件：MOS管(绝缘栅）的开关特性

MOS管(绝缘栅）的开关特性 NMOS共源极接法电路如图3.3.2（a）所示，输出特性如(b)所示 MOS管(绝缘栅）的开关特性 图3.3.2 NMOS管共源极接法电路及其输出特性 增强型NMOS共源极接法电路如图3.3.3（a）所示，转移特性如(b)所示 (a) (b) 图3.3.3 NMOS管共源极接法电路 3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性 开启电压 当vGS<VGS(th)，管子截止， iD = 0, ROFF > 109Ω VGS >VGS (th) 时,管子导通，iD∝ V 2GS，RON<1kΩ (a) (b) 图3.3.3 NMOS管共源极接法电路 3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性 b. 增强型PMOS 符号如图3.3.4所示 3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性 增强型PMOS共源极接法电路如图3.3.5（a）所示，转移特性如(b)所示 3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性 当vGS>VGS(th)，管子截止， iD = 0 vGS <VGS (th) 时,管子导通，iD∝ V 2GS 3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性 c. 耗尽型NMOS 3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性 符号如图3.3.6所示 耗尽型NMOS共源极接法电路如图3.3.7（a）所示，转移特性如(b)所示 3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性 当vGS< VGS(off)(负值），管子截止， iD = 0； vGS < VGS(off) 时,管子导通 d. 耗尽型PMOS 3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性 符号如图3.3.8所示 耗尽型PMOS共源极接法电路如图3.3.9（a）所示，转移特性如(b)所示 3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性 当vGS> VGS(off)(正值），管子截止， iD = 0； vGS < VGS(off) 时,管子导通 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 一、CMOS反相器的电路结构及工作原理 图3.3.10 CMOS反相器电路 图3.3.10为CMOS反相器的电路 其中T1为P沟道增强型MOS管，T2为N沟道增强型MOS管.它们构成互补对称电路 1.结构： $