2022-2023学年高二物理竞赛课件：耗尽型绝缘栅场效应管

2023-06-10

| 12页

| 49人阅读

| 3人下载

普通

内容正文：

耗尽型绝缘栅场效应管耗尽型绝缘栅场效应管 G S D 符号：如果MOS管在制造时导电沟道就已形成，称为耗尽型场效应管。 (1 ) N沟道耗尽型管 SiO2绝缘层中掺有正离子予埋了N型导电沟道下一页总目录章目录返回上一页 2. 耗尽型绝缘栅场效应管由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在UGS= 0时，若漏–源之间加上一定的电压UDS，也会有漏极电流 ID 产生。当UGS > 0时，使导电沟道变宽， ID 增大；当UGS < 0时，使导电沟道变窄， ID 减小； UGS负值愈高，沟道愈窄， ID就愈小。当UGS达到一定负值时，N型导电沟道消失， ID= 0，称为场效应管处于夹断状态（即截止）。这时的UGS称为夹断电压，用UGS(off）表示。这时的漏极电流用 IDSS表示，称为饱和漏极电流。下一页总目录章目录返回上一页 (2) 耗尽型N沟道MOS管的特性曲线夹断电压耗尽型的MOS管UGS= 0时就有导电沟道，加反向电压到一定值时才能夹断。 UGS(off) 转移特性曲线 0 ID/mA UGS /V -1 -2 -3 4 8 12 16 1 2 UDS=常数 U DS UGS=0 UGS<0 UGS>0 漏极特性曲线 0 ID/mA 16 20 12 4 8 12 16 4 8 IDSS 下一页总目录章目录返回上一页 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 (3) P 沟道耗尽型管符号： G S D 予埋了P型导电沟道 SiO2绝缘层中掺有负离子下一页总目录章目录返回上一页耗尽型 G S D G S D 增强型 N沟道 P沟道 G S D G S D N沟道 P沟道 G、S之间加一定电压才形成导电沟道在制造时就具有原始导电沟道下一页总目录章目录返回上一页 3. 场效应管的主要参数 (1) 开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数 (2) 夹断电压 UGS(off)： (3) 饱和漏电流 IDSS：是结型和耗尽型 MOS管的参数 (4) 低频跨导 gm：表示栅源电压对漏极电流的控制能力极限参数：最大漏极电流、耗散功率、击穿电压。下一页总目录章目录返回上一页场效应管与晶体管的比较电流控制电压控制控制方式电子和空穴两种载流子同时参与导电载流子电子或空穴中一种载流子参与导电类型 NPN和PNP N沟道和P沟道放大参数 rce很高 rds很高输出电阻输入电阻较低较高双极型三极管单极型场效应管热稳定性差好制造工艺较复杂简单，成本低对应电极 B—E—C G—S—D 下一页总目录章目录返回上一页 15.9.3 场效应管放大电路场效应晶体管具有输入电阻高、噪声低等优点，常用于多级放大电路的输入级以及要求噪声低的放大电路。场效应管的源极、漏极、栅极相当于双极型晶体管的发射极、集电极、基极。场效应管的共源极放大电路和源极输出器与双极型晶体管的共发射极放大电路和射极输出器在结构上也相类似。场效应管放大电路的分析与双极型晶体管放大电路一样，包括静态分析和动态分析。下一页总目录章目录返回上一页 1.自给偏压式偏置电路 15.9.3 场效应管放大电路栅源电压UGS是由场效应管自身的电流提供的，故称自给偏压。 UGS = –RSIS = –RSID +UDD RS CS C2 C1 RD RG + T + _ + _ ui uo IS + _ UGS T为N沟道耗尽型场效应管增强型MOS管因UGS=0时， ID 0，故不能采用自给偏压式电路。下一页总目录章目录返回上一页 +UDD RS CS C2 C1 RD RG + T + _ + _ ui uo IS + _ UGS 静态分析可以用估算法或图解法( 略 ) 估算法： UGS = – RSID 将已知的UGS(off)、

2022-2023学年高二物理竞赛课件：耗尽型绝缘栅场效应管

内容正文：

资源预览图