2022-2023学年高二物理竞赛：物理电路存储器存储单元MOS管的结构 课件

物理电路存储器存储单元MOS管的结构 与EPROM的区别是: 1.闪速存储器存储单元MOS管的源极N+区大于漏极N+区，而SIMOS管的源极N+区和漏极N+区是对称的； 2. 浮栅到P型衬底间的氧化绝缘层比SIMOS管的更薄。 物理电路存储器存储单元MOS管的结构 编程：按块擦除 PROM的结构示意图（编程后的PROM ） 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 内 容 0 0 0 1 0 1 1 1 1 0 0 0 1 1 0 1 1 0 1 1 0 1 0 1 与SIMOS管的区别是： 浮栅延长区与漏区N+之间的交叠处有一个厚度约为80A (埃)的薄绝缘层。 隧道MOS管的结构－构成E2PROM的存储单元 编程：编程器 字线 存储 矩阵 位线 字线与位线的交点都是一个存储单元。 交点处有MOS管相当存0，无MOS管相当存1。 MOS--ROM 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 EPROM 叠栅MOS管(SIMOS)结构 当浮栅上没有电荷时，给控制栅加上控制电压，MOS管导通. 当浮栅上带有负电荷时，则衬底表面感应的是正电荷，这使得MOS管的开启电压变高，如果给控制栅加上同样的控制电压，MOS管仍处于截止状态。 SIMOS管用浮栅是否累积有负电荷来存储二值数据。 紫外线擦除：浮栅上的电子回到衬底 编程：编程电压（22-25V），编程脉冲 保存：遮光 EPROM NAND FLASH和NOR FLASH NAND FLASH单元尺寸比NOR FLASH小，适合做成大容量存储设备 访问方式不一样 NOR 是存储器接口，可直接运行程序 NAND FLASH和NOR FLASH （1） 用于存储固定的专用程序 （2） 利用ROM可实现查表或码制变换等功能 查表功能 －－ 查某个角度的三角函数 把变量值（角度）作为地址码，其对应的函数值作为存放在该地址内的数据，这称为 “造表”。使用时，根据输入的地址(角度)，就可在输出端得到所需的函数值，这就称为“查表”。 码制变换 －－ 把欲变换的编码作为地址，把最终的目的编码作为相应存储单元中的内容即可。 ROM的应用举例 10 例 利用ROM实现的十进制数码显示电路。 ROM 在波形发生器中的应用 A1 A2 A0 D3 D2 D1 D0 D/A 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 4 8 12 9 6 3 ROM D/A 计数器 CP 计数脉冲 送示波器 3 4 o 13 A1 A2 A0 D3 D2 D1 D0 D/A 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 4 8 12 9 6 3 t  o 0 14 ROM的读操作与时序图 （2）加入有效的片选信号 （3）使输出使能信号 有效，经过一定延时后，有效数据出现在数据线上； （4）让片选信号 或输出使能信号 无效，经过一定延时后数据线呈高阻态，本次读出结束。 （1）欲读取单元的地址加到存储器的地址输入端； 熔丝断开代表0 2线-4线 译码器 D 0 D1 D2 D3 Y3 Y2 Y1 Y0 A0 A1 A1 A0 +VDD 4线 | 16线 译码器 D0 A3 A2 16线-1线数据选择器 Y15 Y14 Y1 Y0 A7 A6 A5 A4 R R R R A0 A1 A3 A2 A1 A0 S1 S0 S3 S2 I0 I1 I14 I15 Y ( ( ( ( ( ( ( ( ( 浮栅无电子 O vGS 浮栅有电子 VT2 iD VT1 _992243021.vsd A3 A2 A1 A0 D C B A ROM � EMBED Equation.3 ��� D3 D2 D