2022-2023学年高二物理竞赛课件：场效应管偏置电路

场效应管偏置电路 场效应管偏置电路 图（a）分压式偏置电路:P142 Q点估算： 电路特点： 分压式偏置电路适用于三极管，也适用于各种类型的场效应管。 VDD T S RG1 RG2 RD RS G ID 图（a）实际的分压偏置电路:P142 图（b）自偏置电路:P142 Q点估算： 电路特点： 由于VDS与VGS极性始终相反故自偏置电路只适合于耗尽型场效管组成。例如：JFET、DMOS管。 EMOS管必须用图（a）。 VDD S RG RD RS G ID vGS 图（b）实际的自偏置电路:P142 图（c）零偏置电路:P142 Q点估算： 电路特点： VGS=0，零偏置电路只适合DMOS管。 VDD S RG RD G ID RS=0，不能稳定Q点。 4.1.2 耦合方式 放大器与信号源、放大器与负载、以及放大器级与级之间的连接方式称耦合方式。 交流信号正常传输。 耦合方式必须保证： 不失真放大。 实际电路常采用两种耦合方式： ①电容耦合（阻容耦合）。 ②直接耦合。 电隔离耦合方式： ③变压器耦合； ④光电耦合(P38)。 先介绍。 先介绍，电隔离耦合方式：③、④ 两级间通过变压器连接起来，通过变压器的磁路耦合将原边的前级交流输出传送到副边，作为后级的输入或传送到负载电阻上。 ③变压器耦合方式（电—磁—电转换）： 电压放大倍数 ③可由所需的电压放大倍数选择合适的匝数比； 输出级与负载间用变压器耦合，可实现阻抗变换。音频功率放大电路中利用这，可使负载获得最高的输出功率。 优点：①Q点相互独立 便于分析、设计和调试； ②实现阻抗变换，最佳匹配。 互不影响，抑制温漂； 很多缺点： ①变压器体积大，重量大、笨重，不适于小型化和集成化； ②低频率特性差，并且频率太低的信号也不能通过变压器。应用上有许多局限性，目前已很少使用。 ③只能放大高频率交流信号。 ③变压器耦合方式（电—磁—电转换）： 适用场合：分立元件功率放大电路中。 或需要特大功率或高频功率放大的场合。 先介绍，电隔离耦合方式：③、④ 器件由发光二极管和光电三极管（又叫光敏三极管）构成。光电耦合放大电路前级的负载就是发光二极管，前级输出电流的变化影响发光二极管的发光强弱。 通过光耦合，使光电三极管输出电流也发生变化，经后级放大后，就有放大信号输出，因为光电耦合是通过电—光—电的转换实现级间耦合的，所以前后级间处于电隔离状态。 便于集成，应用越来越广泛。 ④光电耦合方式：用光电耦合器件。书P38 缺点：①低频特性差（不能放大变化缓慢的低频信号）； 优点：Q点相互独立，抑制温漂 便于分别分析、设计和调试 ②不易集成化。大容量的电容体积大，难于集成。 ③只能放大高频率交流信号。 适用场合：分立元件电路中。 $