2022-2023学年高二物理竞赛课件：放大模式下三极管的模型

放大模式下三极管的模型 三极管的正向受控作用，服从指数函数关系式： 放大模式下三极管的模型 一、数学模型（指数模型）与D? IS指发射结反向饱和电流IEBS转化到集电极上的电流值，它不同于二极管的反向饱和电流IS(P15)。 式中： （2-1-19） （2-1-20） 2 需两个动画 二、简化电路模型（放大模式、直流） E C B E T IC IB 共发射极 (PN结I-V指数特性） 电路模型 VBE + - E C B E IC IB IB  ① ② ① ② ( 受控电流源） 电路模型 VBE + - E C B E IC IB IB  直流简化电路模型 VBE(on) E C B E IC IB IB  + - 1、放大模式——EB结正偏；CB结反偏。 + - VBE(on) 二极管简化模型 2、RD相对较小,=0；P53 硅管VBE(on)= 0.7V 锗管VBE(on)= 0.25V 3、|VBE(on) |为发射结导通电压 本书NPN、硅。 其中: P17 RD 三极管参数的温度特性 温度每升高1C，∆ / 增大（0.5  1）%， 温度每升高1 C ，∣VBE(on) ∣减小（2  2.5）mV， 温度每升高10 C ，ICBO 增大一倍，   即： NPN 硅管：12 锗管：8 即： 即： 例:P54（自习） 负温度系数 D:P17-18 2.1.4 温度对晶体管特性及参数的影响 一、温度对ICBO的影响 二、温度对输入特性的影响 温度每升高100C, ICBO增加约一倍。 T ICBO T 正向特性曲线 左移 温度每升高10℃，|uBE|大约下降2～2.5mV 三、温度对输出特性的影响 T 曲线上移 结论 T 输入特性左移 ICEO IC 2.2 三极管的其它工作模式 发射结正偏，集电结反偏。VCE>0.3V 放大模式： 发射结正偏，集电结正偏。VCE < 0.3V 饱和模式： 发射结反偏，集电结反偏。 截止模式： 反向工作模式:少。只一个VCC。EB反偏，CB结正偏。 三极管四种工作模式:NPN VBE < 0.7V PNP放大,VCE < — 0.3V PNP饱和,VCE > — 0.3V VCC，正、反偏？看实际。 P N N + V1 V2 R2 R1 2.2 晶体三极管的其它工作模式 2.2.1 饱和模式 ( EB结正偏，CB结正偏) - + IF FIF + - IR RIR IE= IF-RIR IC IC= FIF - IR IE 结论：三极管失去正向受控作用。 迭加原理:V1＞0,V2=0, F:正向传输运动。V1=0,V2＞0,反向传输。 例2：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为： （1）U1=3.5V、U2=2.8V、　U3=12V （2）U1=3V、　U2=2.8V、　U3=12V （3）U1=6V、　U2=11.3V、　U3=12V （4）U1=6V、　U2=11.8V、　U3=12V 试判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。 　　（1）U1 b、U2 e、U3 c NPN 硅 （2）U1 b、U2 e、U3 c NPN 锗 （3）U1 c、U2 b、U3 e PNP 硅 （4）U1 c、U2 b、U3 e PNP 锗 如何判断三极管的管脚、管型？电位判断法，电流判断法。 原则：发射结正偏，集电结反偏。NPN管　VBE＞0.7V，　 VBC＜0.4V。先求VBE，若等于0.6-0.7V，为硅管；若等于0.2-0.3V，为锗管。PNP管自己分析。 解： 例3－1 在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的电位如图。试判断各晶体管的类型 （是NPN管还是PNP管，是硅管还锗管），并区分e、b、c三个电极。    2V 2.7V 6V    2.2V 5.3V 6V    4V 1.2V 1.4V (a) (b) (c) (a) NPN硅， －e，－b，－c (b) PNP硅管， －c，－b，－e (c) PNP锗管， －c，－e，－b 解：(1)依|VBE|=0.7V(或|VBE|= 0.2V)确定硅还是锗。 (2)找出c极：极间电压不是0.7V或0.2V的为c极。 (3)VB、VE、VC三个电位中，VC最低，是PNP管； VC最高，是NPN管。 (4)PNP管： VC <VB<VE；NPN管： VC>VB>VE。以确定b, e极。 $