内容正文:
半导体及二极管
电子技术是当代高新技术的龙头。
半导体器件是现代电子技术的重要组成部分。
PN结是半导体器件的核心环节。
半导体二极管是由一个PN结构成的半导体器件,在电子电路有广泛的应用。
半导体及二极管
基本要求
2.1 掌握二极管和稳压管特性、参数
2.2 了解载流子,扩散,漂移;PN结的形成及单向导电性
2.1 半导体特性
何谓半导体
物体分类
导体
如:金属
绝缘体
如:橡胶、云母、塑料等。
— 导电能力介于导体和绝缘体之间。
半导体
半导体特性
掺入杂质则导电率增加几百倍
掺杂特性
半导体器件
温度增加使导电率大为增加
热敏特性
热敏器件
光照不仅使导电率大为增加还可以产生电动势
光敏特性
光敏器件
光电器件
常用的半导体材料有:
元素半导体:硅(Si)、锗(Ge)
化合物半导体:砷化镓(GaAs)
掺杂材料:硼(B)、铟(In);磷(P)、锑(Sb)。
2.1.1 本征半导体
本征半导体
完全纯净、结构完整的半导体晶体。
常用的本征半导体
Si
+14
2
8
4
Ge
+32
2
8
18
4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
共价键内的电子
称为束缚电子
价带
导带
挣脱原子核束缚的电子
称为自由电子
价带中留下的空位
称为空穴
禁带EG
外电场E
自由电子定向移动
形成电子流
束缚电子填补空穴的
定向移动形成空穴流
本征半导体
两种载流子
动画一
1. 本征半导体中有两种载流子
— 自由电子和空穴
2. 在外电场的作用下,产生电流
— 电子流和空穴流
电子流
自由电子作定向运动形成的
与外电场方向相反
自由电子始终在导带内运动
空穴流
价电子递补空穴形成的
与外电场方向相同
始终在价带内运动
本征半导体
空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点。
用空穴移动产生的电流代表束缚电子移动产生的电流
电子浓度ni = 空穴浓度pi
2.1.2 杂质半导体
杂质半导体
掺入杂质的本征半导体。
掺杂后半导体的导电率大为提高
掺入三价元素如B、Al、In等,
形成P型半导体,也称空穴型半导体
掺入五价元素如P、Sb等,
形成N型半导体,也称电子型半导体
杂质半导体
N型半导体
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+5
+5
在本征半导体中掺入五价元素如P。
价带
导带
+
+
+
+
+
+
+
施主能级
自由电子是多子
空穴是少子
杂质原子提供
由热激发形成
由于五价元素很容易贡献电子,因此将其称为施主杂质。施主杂质因提供自由电子而带正电荷成为正离子
杂质半导体
P型半导体
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+3
+3
在本征半导体中掺入三价元素如B。
价带
导带
-
-
-
-
-
-
-
受主能级
自由电子是少子
空穴是多子
杂质原子提供
由热激发形成
因留下的空穴很容易俘获电子,使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。
内电场阻止多子扩散
因浓度差
多子的扩散运动
由杂质离子形成空间电荷区
空间电荷区形成内电场
内电场促使少子漂移
扩散运动
多子从浓度大向浓度小的区域扩散,称扩散运动
扩散运动产生扩散电流
漂移运动
少子向对方漂移,称漂移运动
漂移运动产生漂移电流。
动态平衡
扩散电流=漂移电流,PN结内总电流=0。
PN 结
稳定的空间电荷区
又称高阻区
也称耗尽层
PN结的形成
动画二
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