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直流偏置电路的组成和类型
直流偏置电路的组成和类型
为保证以放大器件为核心的电路能正常放大信号,必须加上合适的供电电源,和偏置电阻,以保证放大器件(晶体管或场效应管)工作在放大区,有合适的发射结、集电结偏置,合适的IB和IC电流。
1.BJT放大电路的直流偏置电路
此时输入为零,即静态,只考虑直流电源作用下的通路
(c) 射极偏置电路
由于发射极接负电源,所以两个发射极都正向偏置了,集电极电阻较小,可以满足(VC>VB)的反偏要求。
2.FET放大电路的直流偏置电路
FET晶体管栅极不取电流,而且漏极电流ID受栅源电压vGS控制,所以栅极电位用分压器组成。
另外各种型号的FET,其栅源电压vGS和漏源电压vDS极性如表所示。
增强型
耗尽型
种类
电压
NMOS
PMOS
N
结型
P
结型
NMOS
PMOS
v
GS
正
负
负
正
负
(
或正
)
正
(
或负
)
v
DS
正
负
正
负
正
负
固定偏压偏置电路
自偏压偏置电路
混合偏置电路
FET偏置电路类型:
(a)固定偏压偏置电路
只要Rg1和Rg2及Rd取的合理,能满足VGS>VT的导电要求,同时保证VDS>VGS-VT,使管子工作在恒流区(放大区)
(b) 自给偏压偏置电路
由于是耗尽型NMOS管,栅源电压可以是正(增强型工作模式),也可以是负(耗尽型工作模式)
VGS电压靠ID流过源极电阻产生压降自已建立起来的—称自偏压
(c) 混合偏置电路
Rg1和Rg2组成固定偏压电路,Rs为自给偏压,所以整个偏置电路为混合式偏置。
三、信号输入和信号输出电路
输入信号能顺畅、无损失地加到放大器的输入端,并不影响电路的直流偏置。
信号源
阻容耦合方式
电路简单,又不影响静态工作状态。但要放大一定频率的信号时,耦合电容器容量应取的较大。
信号输出
信号源
变压器耦合方式
优点是各级静态工作点互不影响,能实现阻抗变换。缺点是频率特性不好,且非常笨重。
信号输出
直接耦合方式
优点是低频特性好,可以放大变化缓慢或直流信号,易于集成化。缺点是信号源影响静态工作点,分析、设计和调试较困难;在多级中还存在零点漂移问题。
信号源
信号输出
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