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双极型三极管
双极型三极管
一、三极管的结构类型与工作原理
半导体三极管又称为晶体管、三极管、双极型晶体管(BJT) 。
结构上它由2个背靠背的PN结组成
因制造的材料又分为硅三极管、锗三极管。
NPN型
PNP型
NPN型三极管
采用平面管制造工艺,在N+型底层上形成两个PN结。
c:collector 集电极
b:base 基极
e:emitter 发射极
电路符号
结构图
工艺特点:三个区,两个结,引出三根电极
杂质浓度(e区掺杂浓度最高,b区较高,c
区最低);
面积大小(c区最大,e区大,b区窄)。
集电区
发射区
基区
基极B
集电极C
发射极E
集电结
发射结
PNP型三极管
在P+型底层上形成两个PN结。
NPN管导电原理
为使NPN管正常放大时的条件:
发射结正向偏置(VBE>0)
集电结反偏向偏置(VCB>0)
●因集电结反偏,因此这些少子将非常容易漂移到集电区,形成集电极电流ICN。
●进入基区的电子成为基区的少子,其中小部分与基区的多子( 空穴)复合,形成 电流,绝大部分继续向集电结扩散并达到集电结边缘;
●发射区的多子电子大量地向基区扩散(发射);
●而基区和集电区本身的少子也要漂移到对方,形成反向饱和电流ICBO。
晶体管的四种工作状态(由两个结的四种不同偏置决定)
JE正偏,JC反偏:放大工作状态,应用在模拟电子电路中。
JE反偏,JC反偏:截止工作状态
JE反偏,JC正偏:倒置工作状态
较少应用(TTL门电路上)
JE正偏,JC正偏:饱和工作状态
用在开关电路中
VBE>0,发射结正偏,VCB>0(∵VCC>VBB),集电结反偏。所以三极管工作在放大状态。
共基极组态(CB)
输入:发射极
输出:集电极
公共端:基极
(此处接地)
信号源
负
载
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