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晶体管直流工作状态分析及偏置电路
03 六月 2023
模拟电子技术
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晶体管直流工作状态分析及偏置电路
直流工作状态分析(静态分析)
将输入、输出特性曲线线性化
(即用若干直线段表示)
等效电路(模型)
静态:由电源引起的一种工作状态
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3 集电极最大允许耗散功率PCM
※ PCM (Maximum Power Dissipation)表示集电极上允许损耗功率的最大值。超过此值就会使管子性能变坏或烧毁。
※PCM与管芯的材料、大小、散热条件及环境温度等因素有关。
PCM =IC·UCE
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图2―7 晶体管的安全工作区
功耗线
过损耗区
击穿区
过流区
Safe Operating Area
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(a) 输入特性近似
图2―8晶体管伏安特性曲线的折线近似
u
BE
0
i
B
U
BE(on)
0
u
CE
i
C
U
CE(sat)
I
B
= 0
(b) 输出特性近似
2―3―1晶体管的直流模型
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图2―9晶体管三种状态的直流模型
(a)截止状态模型;(b)放大状态模型;(c)饱和状态模型
(
b
)
e
b
c
βI
B
I
B
U
BE(on)
(
a
)
e
b
c
(
c
)
e
b
c
U
BE(on)
U
CE(sat)
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例1 晶体管电路如图2―10(a)所示。若已知晶体管工作在放大状态,β=100,试计算晶体管的IBQ,ICQ和UCEQ。
I
C
Q
+
-
U
CE
Q
270k
R
B
U
BB
6V
I
B
Q
U
CC
12V
R
C
3k
(a) 电路
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(b)直流等效电路
图2―10晶体管直流电路分析
e
R
B
U
BE(on)
b
I
B
Q
βI
B
Q
c
I
C
Q
U
CC
R
C
+
-
U
CE
Q
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解 因为UBB使e结正偏,UCC使c结反偏,所以晶体管可以工作在放大状态。这时用图2―9(b)的模型代替晶体管,便得到图2--10(b)所示的直流等效电路。由图可知
故有
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R
B
U
BB
R
C
U
CC
U
EE
R
E
U
BE(on)
βI
B
(b)放大状态下的等效电路
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图2―11晶体管直流分析的一般性电路
R
B
U
BB
R
C
U
CC
U
EE
R
E
U
BE(on)
(c)饱和状态下的等效电路
U
CE(sat)
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∵ UBB - UEE - UBE(on) =IBQRB+(1+β)IBQRE
方法1:
则晶体管处于放大状态;
则晶体管处于饱和状态;
∴
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