2022-2023学年高二物理竞赛课件：晶体管的主要参数

晶体管的主要参数 2 晶体管的主要参数 一、直流参数 1.共射直流电流放大系数 2.共基直流电流放大系数 3.极间反向电流ICBO和ICEO 二、交流参数 1.共射交流电流放大系数β 2.共基交流电流放大系数α 3.特征频率fT：信号频率增加，β下降，当β=1时对应的频率。 3 ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 ICBO— e极开路时c结的反向饱和电流 e b c ICBO μA VCC RC e b c ICEO VCC RC μA ICEO— b极开路时c极与e极间的穿透电流 ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 4 三、极限参数 安全工作区 2.最大集电极电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管 的β 值的下降，当β值下降到 正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 3.极间反向击穿电压 发射结或集电结反向偏置时，发生反向击穿的电压值 U(BR)CEO为基极开路时，集电极与发射极间的反向击穿电压。 1.最大集电极耗散功率PCM PC= iC uCE，当PC>PCM时，管子被损坏。 uCE iC 0 过 损 耗 区 ICM U(BR)CEO 安全工作区 5 型 号 UCBO/V UCEO/V ICM/A PCM/W hFE ƒT/MHz 9011（NPN） 50 30 0.03 0.4 28～200 370 9012（PNP） 40 20 0.5 0.625 64～200 9013（NPN） 40 20 0.5 0.625 64～200 9014（NPN） 50 45 0.1 0.625 60～1800 270 9015（PNP） 50 45 0.1 0.45 60～600 190 9016（NPN） 30 20 0.025 0.4 28～200 620 9018（NPN） 30 15 0.05 0.4 28～200 1100 8050（NPN） 40 25 1.5 1.0 85～300 110 8550（PNP） 40 25 1.5 1.0 60～300 200 2N5401 150 0.6 1.0 60 100 2N5550 140 0.6 1.0 60 100 2N5551 160 0.6 1.0 80 100 2SC945 50 0.1 0.25 90～600 200 2SC1815 50 0.15 0.4 70～700 80 2SC965 20 5 0.75 180～600 150 2N5400 120 0.6 1.0 40 100 常用晶体管 6 6 iB uBE 60℃ 20 ℃ O UBE1 UBE2 uCE iC 0 IB=0 IB1 I’B1 IB2 I’B2 IB3 I’B3 60℃ 20 ℃ △i'C △iC I'CEO 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 2.温度对ICBO(ICEO )的影响。 温度增加，使ICBO增加--- ICEO增加。 iB uBE 60℃ 20 ℃ O UBE1 UBE2 温度增加，输入曲线左移。（与二极管类似） 1.温度对输入曲线的影响。 温度增加，输出曲线上移---增加。 3.温度对输出曲线的影响。 IC 温度升高，少子运动加剧，反向饱和电流增加； 温度升高，加快了基区注入载流子的扩散速度，在基区电子与空穴的复合数目减小，因而增加。 7 7 例1.3.1 测得电路中各晶体管各极的电位，判断各管的工作状态 T1 发射结正偏 集电结反偏 放大 T2 发射结正偏 集电结正偏 饱和 T3 发射结正偏 集电结反偏 放大 T4 发射结零偏 集电结反偏 截止 解： 判据：发射结正偏，且UBE>Uon，集电结反偏；放大 发射结正偏，集电结正偏； 饱和 发射结反偏，或UBE<Uon，集电结反偏；截止 8 例： 如右图所示，=50， VCC =12V， RB =70k， RC =6k。 当VBB = -2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？ UCE VCC VBB RC UBE e b c IB IC 当VBB =-2V时： 三极管截止，IB=0 ， IC=0 解： Q位于截止区 Q位于放大区 当VBB =2V时： UCE< UBE ,Q位于饱和区 当VBB =5V时： RB 9 例： 如右图所示，=50， VCC =12V， RB =70k， RC =6k。 当VBB = -2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？ 当VBB =-2V时： IB=0 ， IC=0 解： IBS临界饱和时基极应注入的