2022-2023学年高二物理竞赛课件：双极型晶体管

双极型晶体管 2 晶体管的结构及类型 晶体管的电流放大作用 晶体管的共射特性曲线 晶体管的主要参数 温度对晶体管特性及参数的影响 光电三极管 双极型晶体管 (Bipolar Junction Transistor，BJT) 3 一、目测判别极性 半导体二极管的识别与检测 1.从外壳的形状上 图形符号印在外壳上 2.用色环来标志电极 有色标的一端为二极管的负极 4 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2AP9 用数字代表同类器件的不同规格。 代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。 代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge， C为N型Si， D为P型Si。 2代表二极管，3代表三极管。 半导体二极管的型号命名 5 发光二极管 金属片大的一端为负极 管脚短的为负极 6 二、用万用表检测二极管 在 R1k 挡进行测量， 红表笔是(表内)负极 , 黑表笔是(表内)正极 测量时手不要接触引脚 1. 用万用表指针式检测 1k  0  0  0 一般硅管正向电阻为几千欧 锗管正向电阻为几百欧 正反电阻相差不大为劣质管 正反电阻都是无穷大或零 则二极管内部断路或短路 7 2. 用数字式万用表检测 红表笔是(表内电源)正极， 黑表笔是(表内电源)负极。 2k 20k 200k 2M 20M 200  在 挡进行测量，当 PN 结完好且正偏时，显示值为PN结正向偏置电阻值(Ω)。 反偏时，显示 • 。 8 部分半导体三极管外型 9 NPN型 PNP型 1.3.1 晶体管的结构及类型 1. 基区很薄 2. 发射区掺杂浓度>>基区掺杂浓度 3. 集电区尺寸>发射区尺寸，集电区掺杂浓度<发射区掺杂浓度 结构特点： P N N 基区 集电区 发射区 b e c 发射结Je 集电结Jc b N P e c P 从结构上看双极型三极管是对称的，但发射极和集电极不能互换。 10 放大的条件：发射结正偏，集电结反偏 VC>VB >VE b（P） c（N） IB IE IC NPN型三极管 e（N） 1.3.2 晶体管的电流放大作用 b（P） c（N） IB IE IC NPN型三极管 e（N） 11 b（P） c（N） IB IE IC NPN型三极管 e（N） b（P） c（N） IB IE IC PNP型三极管 e（N） VC>VB >VE VC<VB <VE b c IB IE IC e b c IB IE IC e 12 12 放大、开关。 电流控制器件， 有电流放大作用。 三极管的主要特点 三极管的应用 $